[發明專利]固態攝像裝置、固態攝像裝置的制造方法以及電子設備有效
| 申請號: | 201410493747.5 | 申請日: | 2014-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN104517982B | 公開(公告)日: | 2019-09-13 |
| 發明(設計)人: | 岡治 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L27/148;H04N5/335 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陳桂香 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 攝像 裝置 制造 方法 以及 電子設備 | ||
本發明提供了固態攝像裝置、固態攝像裝置的制造方法以及電子設備。固態攝像裝置包括攝像像素和焦點檢測像素,攝像像素,其包括微透鏡以及用于接收從所述微透鏡入射的光的光電轉換單元;以及焦點檢測像素,其包括所述微透鏡、所述光電轉換單元以及用于遮擋入射到所述光電轉換單元上的部分光的遮光單元,其中,所述微透鏡一致地形成在所述攝像像素和所述焦點檢測像素中,并且所述焦點檢測像素還包括形成在所述微透鏡的下層的高折射率膜,或者所述焦點檢測像素還包括形成在所述微透鏡的下層的高折射率膜,亦或者所述攝像像素還包括形成在所述微透鏡的下層的波導。能夠簡化微透鏡的形成工藝,并且優化攝像像素的靈敏度以及焦點檢測像素的分離特性。
技術領域
本發明涉及固態攝像裝置、固態攝像裝置的制造方法以及電子設備,并且特別地涉及能夠優化攝像像素的靈敏度以及焦點檢測(focus detection)像素的分離特性的固態攝像裝置、固態攝像裝置的制造方法以及電子設備。
背景技術
目前已知的固態攝像裝置通過所謂的基于由成對的焦點檢測像素輸出的信號的偏移量來檢測聚焦點的光瞳分割(pupil division)相位差系統進行焦點檢測。在固態攝像裝置中,焦點檢測像素被設置至具有攝像像素的像素陣列單元。
在這類固態攝像裝置中,在位于低于遮光膜的層上的光電轉換單元的受光表面側上存在微透鏡的集光點的情況下,攝像像素表現出最高的靈敏度。另一方面,在遮光膜上存在微透鏡的集光點的情況下,焦點檢測像素表現出最強的分離特性。然而,在相關技術中,攝像像素的靈敏度的優化是以犧牲焦點檢測像素的分離性能為代價的。
鑒于此,在焦點檢測像素中,為了使微透鏡的集光點與攝像像素的集光點相重合,已提出了針對攝像像素和焦點檢測像素單獨地制造微透鏡的方法(例如,見日本專利申請公開號2009-109965)。
此外,還公開了如下結構:在安裝有微透鏡的焦點檢測像素上的位置處設置臺階(step),以由此調節微透鏡的集光點(例如,見日本專利申請公開號2007-281296)。
然而,在日本專利申請公開號2009-109965公開的結構中,針對攝像像素和焦點檢測像素不易于共同地形成微透鏡。
另外,在日本專利申請公開號2007-281296的結構中,在焦點檢測像素中,由于微透鏡高于攝像像素,所以在與焦點檢測像素相鄰的攝像像素中產生了陰影,從而造成圖像質量的劣化。
發明內容
鑒于上述情況,期望簡化微透鏡的形成工藝,并且優化攝像像素的靈敏度以及焦點檢測像素的分離性能。
根據本發明的第一實施例,提供了一種包括有攝像像素和焦點檢測像素的固態攝像裝置。攝像像素包括微透鏡微透鏡以及用于接收從所述微透鏡入射的光的光電轉換單元。焦點檢測像素包括所述微透鏡、所述光電轉換單元以及用于遮擋入射到所述光電轉換單元上的部分光的遮光單元。所述微透鏡一致地形成在所述攝像像素和所述焦點檢測像素中,并且所述焦點檢測像素還包括形成在所述微透鏡的下層的高折射率膜。
所述微透鏡可具有位于所述光電轉換單元上的集光點。
根據本發明的第一實施例,提供了一種固態攝像裝置的制造方法,所述固態攝像裝置包括攝像像素和焦點檢測像素。所述攝像像素包括微透鏡微透鏡以及用于接收從所述微透鏡入射的光的光電轉換單元。所述焦點檢測像素包括所述微透鏡、所述光電轉換單元以及用于遮擋入射到所述光電轉換單元上的部分光的遮光單元。所述固態攝像裝置的制造方法包括:在所述焦點檢測像素中的所述微透鏡的下層形成高折射率膜;并且在所述攝像像素和所述焦點檢測像素中一致地形成所述微透鏡。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





