[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201410489484.0
• 申請日: 2014-09-23
• 公開（公告）號: CN105097931A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: 潘欽寒;黃堯峰
• 申請（專利權）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/36;H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 湯在彥

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括:

提供一基底，該基底包括一第一區、一第二區與一第三區，其中該第二區位于該第一區與該第三區之間；

在該基底上形成一隔離結構，該隔離結構至少位于該第一區與該第二區上；

進行一移除步驟，以移除該第一區上的該隔離結構，形成一第一開口，裸露出該基底的頂面；

于該基底上形成一柵極結構，該柵極結構覆蓋部分該第一區的該基底以及該第二區的部分該隔離結構；

于該柵極結構的一側的該第一區的該基底中形成具有一第一導電型的一第一摻雜區；以及

于該第三區的該基底中形成具有該第一導電型的一第二摻雜區。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在該基底上形成該隔離結構的步驟中，所形成的該隔離結構還延伸覆蓋該第三區；以及

該移除步驟還包括移除該第三區的該隔離結構，以形成一第二開口，裸露出該基底頂面。

3.如權利要求1或2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，該移除步驟包括光刻與蝕刻工藝。

4.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在該移除步驟之后，留在該第二區的該隔離結構為具有平坦的頂面、階梯狀的頂面或傾斜的頂面的隔離結構。

5.如權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，形成具有階梯狀的頂面的隔離結構的方法包括：使用漸進式光掩膜或多個光掩膜進行該移除步驟。

6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，該隔離結構的形成方法包括局部氧化法、淺溝槽隔離法、或化學氣相沉積法搭配圖案化制造工藝。

7.一種半導體器件，其特征在于，包括:

一基底，該基底包括一第一區、一第二區與一第三區，其中該第二區位于該第一區與該第三區之間；

一隔離結構，位于該基底的該第二區上，至少一部分的該隔離結構的底面與該基底的頂面實質上共平面，其中該隔離結構自該第二區的一端連續延伸至該第二區的另一端；

一柵極結構，覆蓋部分該第一區的該基底以及該第二區的部分該隔離結構；

具有一第一導電型的一第一摻雜區，位于該第一區的該基底中，與該柵極結構的一側相鄰；以及

具有該第一導電型的一第二摻雜區，位于該第三區的該基底中，與該隔離結構的一側相鄰。

8.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，該隔離結構的該底面與該第一區的該基底的該頂面實質上共平面。

9.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，該第三區的該基底頂面的高度高于該第一區的該基底頂面的高度。

10.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，該隔離結構的該底面還與該第三區的該基底的該頂面實質上共平面。

11.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，該隔離結構具有平坦的頂面、階梯狀的頂面、或傾斜的頂面。

12.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，還包括具有一第二導電型的一第三摻雜區，位于該第一區的該基底中，且該第一摻雜區位于該第三摻雜區中。

13.如權利要求12所述的半導體器件，其特征在于，還包括具有該第一導電型的一第四摻雜區，位于該第一區、該第二區以及該第三區的該基底中，其中該第三摻雜區與該第二摻雜區位于該第四摻雜區中。

14.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，該隔離結構至少有一側的側壁與該基底的頂面所夾的角度為直角或鈍角。

15.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，該隔離結構僅被一個柵極結構所覆蓋。

16.一種半導體器件，其特征在于，包括:

一基底，該基底包括一第一區、一第二區與一第三區，其中該第二區位于該第一區與該第三區之間；

一隔離結構，位于該基底的該第二區上，至少一部分的該隔離結構的底面與該基底的頂面實質上共平面，自該第二區的一端連續延伸至該第二區的另一端，該隔離結構的形成方法包括：

以局部氧化法形成一場氧化層；以及

進行一圖案化制造工藝，以移除部分該場氧化層；

一柵極結構，覆蓋部分該第一區的該基底以及該第二區的部分該隔離結構；

具有一第一導電型的一第一摻雜區，位于該第一區的該基底中，與該柵極結構的一側相鄰；以及

具有該第一導電型的一第二摻雜區，位于該第三區的該基底中，與該隔離結構的一側相鄰。