[發明專利]基板結構及其制作方法

在審

• 申請號: 201410488365.3
• 申請日: 2014-09-23
• 公開（公告）號: CN105376939A
• 公開（公告）日: 2016-03-02
• 發明（設計）人: 曾子章;吳建男
• 申請（專利權）人: 旭德科技股份有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00;H05K1/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術領域

本發明涉及一種基板結構及其制作方法，且特別是涉及一種具有較佳導 熱效果的基板結構及其制作方法。

背景技術

一般來說，在絕緣基材上制作線路層，通常是將線路層制作于絕緣基材 的上表面上。因此，當發熱元件設置于線路層時，發熱元件所產生的熱必須 通過線路層的厚度以及絕緣基材的厚度才能傳遞至外界。如此一來，發熱元 件的散熱路徑中的熱阻較大，無法達到快速導熱的效果。

為了解決上述的問題，現有通過研磨的方式降低絕緣基板的厚度；或者 是，通過曝光、光刻、蝕刻的方式來制作內埋式的線路層，以減少絕緣基板 的厚度，來有效降低散熱路徑中的熱阻。然而，上述的方式都會增加制作工 藝步驟，且耗時不易于量產。

發明內容

本發明的目的在于提供一種基板結構，具有較佳的導熱效果。

本發明還一目的在于提供一種基板結構的制作方法，用以制作上述的基 板結構。

為達上述目的，本發明的基板結構的制作方法，其包括以下步驟。提供 絕緣基材，其中絕緣基材具有上表面。對絕緣基材的部分上表面照射第一激 光光束，以形成第一凹刻圖案，其中第一激光光束為紅外光激光光束或光纖 激光光束，且第一凹刻圖案具有一改質表面。形成第一金屬層于絕緣基材的 上表面上，其中第一金屬層覆蓋絕緣基材的上表面與第一凹刻圖案的改質表 面，并填滿第一凹刻圖案。對第一金屬層進行研磨程序，以暴露出絕緣基材 的上表面，而定義出第一圖案化線路層，其中第一圖案化線路層的第一上表 面與絕緣基材的上表面切齊。

在本發明的一實施例中，上述的絕緣基材的材質包括陶瓷(如氧化鋁、 氮化鋁、碳化硅或氮化硅)或玻璃。

在本發明的一實施例中，上述的第一凹刻圖案的深度介于絕緣基材的厚 度的0.3％至60％之間。

在本發明的一實施例中，上述的形成第一金屬層于絕緣基材的上表面的 方法為無電電鍍法。

在本發明的一實施例中，上述的第一金屬層的材質包括銅或鎳。

在本發明的一實施例中，上述的基板結構的制作方法還包括：對第一金 屬層進行研磨程序之后，形成防焊層于第一圖案化線路層上，其中防焊層暴 露出部分第一圖案化線路層；以及形成表面處理層于防焊層所暴露出的第一 圖案化線路層上。

在本發明的一實施例中，上述的提供絕緣基材時，絕緣基材已具有凹穴 (可在絕緣基材制作時，利用沖壓方式來形成)，且上表面為立體表面。

在本發明的一實施例中，上述的絕緣基材還具有相對于上表面的下表 面，基板結構的制作方法還包括：形成第一金屬層于絕緣基材的上表面上之 前，對絕緣基材的部分下表面照射第二激光光束，以形成第二凹刻圖案。

在本發明的一實施例中，上述的基板結構的制作方法，還包括：形成第 二凹刻圖案之后，形成第二金屬層于絕緣基材的下表面上，其中第二金屬層 填滿第二凹刻圖案，而形成第二圖案化線路層，且第二圖案化線路層的第二 下表面與絕緣基材的下表面切齊。

在本發明的一實施例中，上述的第一凹刻圖案的深度介于絕緣基材的厚 度的0.3％至40％之間，而第二凹刻圖案的深度介于絕緣基材的厚度的0.3％ 至40％之間。

本發明的基板結構，其包括絕緣基材以及第一圖案化線路層。絕緣基材 具有上表面以及位于上表面的第一凹刻圖案。第一圖案化線路層配置于第一 凹刻圖案內且填滿第一凹刻圖案，其中第一圖案化線路層的第一表面與絕緣 基材的上表面切齊。

在本發明的一實施例中，上述的絕緣基材還具有相對于上表面的下表面 以及位于下表面的第二凹刻圖案。

在本發明的一實施例中，上述的基板結構還包括：第二圖案化線路層， 配置于第二凹刻圖案內且填滿第二凹刻圖案，其中第二圖案化線路層的一第 二下表面與絕緣基材的下表面切齊。

在本發明的一實施例中，上述的絕緣基材還具有凹穴，且上表面為立體 表面。

在本發明的一實施例中，上述的基板結構還包括：防焊層，配置于第一 圖案化線路層上，其中防焊層暴露出部分第一圖案化線路層；以及表面處理 層，配置于防焊層所暴露出的第一圖案化線路層上。