[發明專利]靈敏放大器以及存儲器

有效

• 申請號: 201410487273.3
• 申請日: 2014-09-22
• 公開（公告）號: CN105513633B
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發明（設計）人: 仲紀者
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

本發明揭示了一種靈敏放大器，包括控制單元、變換器，第一電流鏡單元、第一分壓單元、第二分壓單元、第二電流鏡單元、第三分壓單元以及第四分壓單元。控制單元接收一輸入信號和一時鐘信號，在所述時鐘信號為高電位時，所述控制單元輸出一與所述輸入信號相同的控制信號，在所述時鐘信號為低電位時，所述控制單元不輸出所述控制信號所述第一分壓單元、第二分壓單元、第三分壓單元、第四分壓單元均不工作，從而避免存儲單元之間的干擾。本發明還提供一種包含上述靈敏放大器的存儲器。

技術領域

本發明涉及存儲器電路技術領域，特別是涉及一種靈敏放大器以及存儲器。

背景技術

靜態隨機存取存儲器(SRAM，Static Random Access Memory)嵌入到幾乎所有的大規模集成電路中，并且在要求高速、高集成度、低功耗、低電壓、低成本、短周期的應用中起到了關鍵性的作用。SRAM可包括不同數目的晶體管，并經常根據晶體管的數目而命名，例如，6晶體管(6-T)SRAM、8晶體管(8-T)SRAM等等。

SRAM主要包括存儲陣列和外圍輔助電路兩部分。存儲陣列是SRAM的核心組成部分，起著存儲數據的作用；存儲陣列的結構相對固定，性能一般由集成電路制造工藝水平決定。外圍輔助電路包括靈敏放大器(SA，Sense Amplifier)、譯碼電路、輸入輸出電路、時序產生電路等等。其中，靈敏放大器是外圍輔助電路的一個重要組成部分，靈敏放大器性能的優劣對SRAM的速度等性能的提升有重要影響。

在現有技術中，靈敏放大器感應位線(bit-line)上的小信號變化并通過放大所述小信號變化來得到存儲陣列中存儲單元上儲存的數據。然而，采用現有技術的靈敏放大器，存儲單元很容易受干擾。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種靈敏放大器以及存儲器，有利于減小存儲單元間的干擾。

為解決上述技術問題，本發明提供一種靈敏放大器，包括：

控制單元，接收一輸入信號和一時鐘信號，在所述時鐘信號為高電位時，所述控制單元輸出一與所述輸入信號相同的控制信號，在所述時鐘信號為低電位時，所述控制單元不輸出所述控制信號；

變換器，將所述控制信號轉換為相反的反相控制信號；

第一電流鏡單元，所述第一電流鏡單元的輸入端連接一第一參考節點，所述第一電流鏡單元的輸出端連接一第一輸出節點；

第一分壓單元，接收所述控制信號，在所述控制信號為高電位時，拉低所述第一輸出節點的電壓；

第二分壓單元，接收所述反相控制信號，在所述反相控制信號為低電位時，所述第一參考節點充電；

第二電流鏡單元，所述第二電流鏡單元的輸入端連接一第二參考節點，所述第二電流鏡單元的輸出端連接一第二輸出節點；

第三分壓單元，接收所述控制信號，在所述控制信號為高電位時，拉低所述第二輸出節點的電壓；以及

第四分壓單元，接收所述反相控制信號，在所述反相控制信號為低電位時，所述第二參考節點充電。

可選的，所述靈敏放大器還包括：

第一預充電單元，接收所述時鐘信號，在所述時鐘信號為低電位時，所述第一預充電單元對所述第一輸出節點充電；

第二預充電單元，接收所述時鐘信號，在所述時鐘信號為低電位時，所述第二預充電單元對所述第二輸出節點充電。

可選的，所述第一預充電單元包括一第一PMOS管，所述第一PMOS管的柵極接收所述時鐘信號，所述第一PMOS管的源極接工作電壓，所述第一PMOS管的漏極連接所述第一輸出節點。