[發(fā)明專利]靈敏放大器以及存儲(chǔ)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410487273.3 | 申請(qǐng)日: | 2014-09-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105513633B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 仲紀(jì)者 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C11/413 | 分類號(hào): | G11C11/413 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時(shí)云 |
| 地址: | 201203 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 靈敏 放大器 以及 存儲(chǔ)器 | ||
1.一種靈敏放大器,包括:
控制單元,接收一輸入信號(hào)和一時(shí)鐘信號(hào),在所述時(shí)鐘信號(hào)為高電位時(shí),所述控制單元輸出一與所述輸入信號(hào)相同的控制信號(hào),在所述時(shí)鐘信號(hào)為低電位時(shí),所述控制單元不輸出所述控制信號(hào);
變換器,將所述控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為相反的反相控制信號(hào);
第一電流鏡單元,所述第一電流鏡單元的輸入端連接一第一參考節(jié)點(diǎn),所述第一電流鏡單元的輸出端連接一第一輸出節(jié)點(diǎn);
第一分壓?jiǎn)卧邮账隹刂菩盘?hào),在所述控制信號(hào)為高電位時(shí),拉低所述第一輸出節(jié)點(diǎn)的電壓;
第二分壓?jiǎn)卧邮账龇聪嗫刂菩盘?hào),在所述反相控制信號(hào)為低電位時(shí),所述第一參考節(jié)點(diǎn)充電;
第二電流鏡單元,所述第二電流鏡單元的輸入端連接一第二參考節(jié)點(diǎn),所述第二電流鏡單元的輸出端連接一第二輸出節(jié)點(diǎn);
第三分壓?jiǎn)卧邮账隹刂菩盘?hào),在所述控制信號(hào)為高電位時(shí),拉低所述第二輸出節(jié)點(diǎn)的電壓;
第四分壓?jiǎn)卧邮账龇聪嗫刂菩盘?hào),在所述反相控制信號(hào)為低電位時(shí),所述第二參考節(jié)點(diǎn)充電;
第一預(yù)充電單元,接收所述時(shí)鐘信號(hào),在所述時(shí)鐘信號(hào)為低電位時(shí),所述第一預(yù)充電單元對(duì)所述第一輸出節(jié)點(diǎn)充電;以及
第二預(yù)充電單元,接收所述時(shí)鐘信號(hào),在所述時(shí)鐘信號(hào)為低電位時(shí),所述第二預(yù)充電單元對(duì)所述第二輸出節(jié)點(diǎn)充電。
2.如權(quán)利要求1所述的靈敏放大器,其特征在于,所述第一預(yù)充電單元包括一第一PMOS管,所述第一PMOS管的柵極接收所述時(shí)鐘信號(hào),所述第一PMOS管的源極接工作電壓,所述第一PMOS管的漏極連接所述第一輸出節(jié)點(diǎn)。
3.如權(quán)利要求2所述的靈敏放大器,其特征在于,所述第二預(yù)充電單元包括一第二PMOS管,所述第二PMOS管的柵極接收所述時(shí)鐘信號(hào),所述第二PMOS管的源極接工作電壓,所述第二PMOS管的漏極連接所述第二輸出節(jié)點(diǎn)。
4.如權(quán)利要求1所述的靈敏放大器,其特征在于,所述第一電流鏡單元包括一第三PMOS管和一第四PMOS管,所述第三PMOS管和第四PMOS管的柵極相連后,連接所述第一參考節(jié)點(diǎn),所述第三PMOS管的源極接工作電壓,所述第三PMOS管的漏極連接所述第一輸出節(jié)點(diǎn),所述第四PMOS管的源極接工作電壓,所述第四PMOS管的漏極連接所述第一參考節(jié)點(diǎn)。
5.如權(quán)利要求4所述的靈敏放大器,其特征在于,所述第二電流鏡單元包括第五PMOS管和第六PMOS管,所述第五PMOS管和第六PMOS管的柵極相連后,連接所述第二參考節(jié)點(diǎn),所述第五PMOS管的源極接工作電壓,所述第五PMOS管的漏極連接所述第二輸出節(jié)點(diǎn),所述第六PMOS管的源極接工作電壓,所述第六PMOS管的漏極連接所述第二參考節(jié)點(diǎn)。
6.如權(quán)利要求1所述的靈敏放大器,其特征在于,所述第一分壓?jiǎn)卧ㄒ坏谝籒MOS管,所述第一NMOS管的柵極接收所述控制信號(hào),所述第一NMOS管的源極接地,所述第一NMOS管的漏極連接所述第一輸出節(jié)點(diǎn)。
7.如權(quán)利要求6所述的靈敏放大器,其特征在于,所述第二分壓?jiǎn)卧ㄒ坏诙﨨MOS管,所述第二NMOS管的柵極接收所述反相控制信號(hào),所述第二NMOS管的源極接地,所述第二NMOS管的漏極連接所述第一參考節(jié)點(diǎn)。
8.如權(quán)利要求7所述的靈敏放大器,其特征在于,所述第三分壓?jiǎn)卧ㄒ坏谌齆MOS管,所述第三NMOS管的柵極接收所述控制信號(hào),所述第三NMOS管的源極接地,所述第三NMOS管的漏極連接所述第二輸出節(jié)點(diǎn)。
9.如權(quán)利要求8所述的靈敏放大器,其特征在于,所述第四分壓?jiǎn)卧ㄒ坏谒腘MOS管,所述第四NMOS管的柵極接收所述反相控制信號(hào),所述第四NMOS管的源極接地,所述第四NMOS管的漏極連接所述第二參考節(jié)點(diǎn)。
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