[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410486976.4
• 申請(qǐng)日: 2014-09-22
• 公開（公告）號(hào): CN105513943B
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 施林波;陳福成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/78
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括：提供第一晶圓和第二晶圓，進(jìn)行第一鍵合工藝，以將所述第一晶圓的正面和所述第二晶圓的正面接合；對(duì)所述第二晶圓的背面進(jìn)行第一減??；提供第三晶圓，所述第三晶圓內(nèi)形成有硅通孔；進(jìn)行第二鍵合工藝，以將所述第二晶圓的背面與所述第三晶圓的正面接合；自所述第一晶圓的背面開始對(duì)依次堆疊的所述第一晶圓、所述第二晶圓和所述第三晶圓進(jìn)行深修邊；對(duì)所述第一晶圓的背面進(jìn)行第二減??；對(duì)所述第三晶圓的背面進(jìn)行第三減薄，以使所述硅通孔的底部從所述第三晶圓的背面露出；進(jìn)行切割工藝。本發(fā)明的方法，大大降低了補(bǔ)膠造成的空隙引起的邊緣崩裂問(wèn)題出現(xiàn)的風(fēng)險(xiǎn)，簡(jiǎn)化了工藝流程，降低了生產(chǎn)成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件的制作方法。

背景技術(shù)

在多層堆疊晶圓級(jí)封裝中，往往都需要對(duì)各層晶圓(wafer)進(jìn)行背部研磨減薄處理，最終進(jìn)行晶粒(die)切割。而在對(duì)多層晶圓減薄的過(guò)程中很容易造成邊緣崩裂(edgechipping)。在對(duì)多層晶圓進(jìn)行晶粒切割的時(shí)候，還需要分多步進(jìn)行。

如圖2所示，為現(xiàn)有的多層堆疊晶圓級(jí)封裝的工藝流程圖，從圖可以看出，目前的工藝流程是：步驟一、對(duì)CMOS晶圓和MEMS晶圓進(jìn)行熔融鍵合；步驟二、對(duì)MEMS晶圓進(jìn)行修邊處理；步驟三、對(duì)MEMS晶圓進(jìn)行背部研磨；步驟四、對(duì)MEMS晶圓執(zhí)行背面的后續(xù)工藝制程；步驟五、如圖1A所示，將通孔(TSV)晶圓103的正面與MEMS晶圓102的背面進(jìn)行共晶鍵合；步驟六、如圖1B所示，對(duì)堆疊晶圓的邊緣進(jìn)行補(bǔ)膠104以填充晶圓邊緣的空腔；步驟七、對(duì)CMOS晶圓進(jìn)行研磨減薄；步驟八、如圖1B所示，對(duì)CMOS晶圓101和MEMS晶圓102進(jìn)行切割。步驟九、如圖1C所示，在CMOS晶圓的背面粘貼背部研磨膠帶105；步驟十、如圖1C所示，對(duì)TSV晶圓進(jìn)行背部研磨以暴露通孔；步驟十一、進(jìn)行TSV的后續(xù)工藝；步驟十二、如圖1D所示，切割TSV晶圓103。

現(xiàn)有工藝方法，在對(duì)CMOS晶圓進(jìn)行研磨減薄之前，需要先對(duì)晶圓的邊緣進(jìn)行補(bǔ)膠以填充晶圓邊緣的空腔，而由于補(bǔ)膠容易產(chǎn)生空隙引起邊緣崩裂的風(fēng)險(xiǎn)，研磨后先對(duì)CMOS晶圓和MEMS晶圓進(jìn)行第一步切割。之后，由于切割道的存在，需要粘貼背部研磨膠帶后對(duì)TSV晶圓進(jìn)行背部研磨以暴露通孔，完成后續(xù)的TSV工藝后再對(duì)TSV晶圓進(jìn)行第二步切割。故現(xiàn)有技術(shù)的方法，需要粘貼背部研磨膠帶，且包括兩步切割制程，工藝流程復(fù)雜，成本高。

鑒于上述問(wèn)題的存在，本發(fā)明提出了一種新的制作方法。

發(fā)明內(nèi)容

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

為了克服目前存在的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括：

提供第一晶圓和第二晶圓，進(jìn)行第一鍵合工藝，以將所述第一晶圓的正面和所述第二晶圓的正面接合；

對(duì)所述第二晶圓的背面進(jìn)行第一減??；

提供第三晶圓，所述第三晶圓內(nèi)形成有硅通孔；

進(jìn)行第二鍵合工藝，以將所述第二晶圓的背面與所述第三晶圓的正面接合；

自所述第一晶圓的背面開始對(duì)依次堆疊的所述第一晶圓、所述第二晶圓和所述第三晶圓進(jìn)行深修邊；

對(duì)所述第一晶圓的背面進(jìn)行第二減??；

對(duì)所述第三晶圓的背面進(jìn)行第三減薄，以使所述硅通孔的底部從所述第三晶圓的背面露出；

進(jìn)行切割工藝。

進(jìn)一步，所述第一鍵合工藝為熔融鍵合。

進(jìn)一步，所述第二鍵合工藝為共晶鍵合工藝。