[發明專利]一種半導體器件的制作方法

有效

• 申請號: 201410486976.4
• 申請日: 2014-09-22
• 公開（公告）號: CN105513943B
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 施林波;陳福成
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/78
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制作方法，包括：

提供第一晶圓和第二晶圓，進行第一鍵合工藝，以將所述第一晶圓的正面和所述第二晶圓的正面接合；

對所述第二晶圓的背面進行第一減?。?/p>

提供第三晶圓，所述第三晶圓內形成有硅通孔；

進行第二鍵合工藝，以將所述第二晶圓的背面與所述第三晶圓的正面接合；

自所述第一晶圓的背面開始對依次堆疊的所述第一晶圓、所述第二晶圓和所述第三晶圓進行深修邊；

對所述第一晶圓的背面進行第二減?。?/p>

對所述第三晶圓的背面進行第三減薄，以使所述硅通孔的底部從所述第三晶圓的背面露出；

進行切割工藝，以形成單個的晶粒。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一鍵合工藝為熔融鍵合。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二鍵合工藝為共晶鍵合工藝。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述深修邊的寬度為2.5～3.5mm，深度為1000～1300μm。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在對所述第二晶圓的背面進行減薄的步驟之前，還包括對所述第二晶圓進行第一修邊的步驟。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一修邊的寬度為2～2.5mm。

7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一減薄后所述第二晶圓的厚度為20～60μm。

8.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二減薄后所述第一晶圓的厚度為100～300μm。

9.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第三減薄后所述第三晶圓的厚度為100～200μm。

10.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一晶圓上形成有CMOS器件，所述第二晶圓上形成有MEMS器件。