[發(fā)明專利]防止光刻膠結(jié)晶的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410486805.1 | 申請日: | 2014-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN105446081B | 公開(公告)日: | 2019-11-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 覃柳莎 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/16 | 分類號: | G03F7/16 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 牛崢;王麗琴 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 防止 光刻 膠結(jié) 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種防止光刻膠結(jié)晶的方法,在回吸光刻膠后,將光刻膠稀釋溶劑吸入噴嘴中,可以將殘留在噴嘴前端及內(nèi)壁處的光刻膠溶解,避免在噴嘴生成光刻膠結(jié)晶,并盡可能減少噴嘴內(nèi)壁處光刻膠結(jié)晶;進一步,在回吸光刻膠后,排出部分回吸時吸入的空氣,可保證以空氣隔離噴嘴內(nèi)光刻膠與光刻膠稀釋溶劑的同時,減少噴嘴內(nèi)的空氣,減少參與光刻膠結(jié)晶的空氣,并增加光刻膠稀釋溶劑覆蓋的噴嘴內(nèi)壁的范圍,最大程度溶解噴嘴內(nèi)壁殘留光刻膠,在達到更好的防止光刻膠結(jié)晶的效果的同時,降低光刻膠空噴的損耗,進而節(jié)約工藝成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種防止光刻膠結(jié)晶的方法。
背景技術(shù)
光刻是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟,通常包括在晶圓表面涂膠、曝光和顯影等主要工序。在進行涂膠工序時,如圖1A所示,通過噴嘴1在晶圓2的中心噴灑光刻膠,并以一定的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)晶圓,即可如圖1B所示在晶圓表面建立薄、均勻并且沒有缺陷的光刻膠涂層3。
為了保障光刻膠涂層成膜質(zhì)量,在涂膠過程中光刻膠用量需要精確控制。由于光刻膠的粘度較低,在涂膠后,噴嘴內(nèi)存留的光刻膠有時會發(fā)生漏滴,造成光刻膠用量不準或?qū)е戮A污染,因此,在完成涂膠后,如圖1C所示,需要對噴嘴中存留的光刻膠3’進行回吸操作,在噴嘴內(nèi)吸入空氣4,從而避免光刻膠漏滴。
在實際操作過程中,在涂膠工序后,噴嘴內(nèi)存留的光刻膠3’與空氣接觸并在一定時間后光刻膠會與空氣發(fā)生反應(yīng),產(chǎn)生光刻膠結(jié)晶現(xiàn)象,如圖1D所示,回吸后的光刻膠在噴灑光刻膠過程中以及回吸操作后,噴嘴前端及其內(nèi)壁由于可能存在光刻膠殘留,因此,在噴嘴前端及內(nèi)壁均可能存在結(jié)晶的光刻膠,在下次使用時光刻膠結(jié)晶就會落到晶圓表面,使得涂膠形成的光刻膠涂層不均勻,影響刻蝕工藝的良品率,甚至最終影響到器件的性能。因此,現(xiàn)有技術(shù)中,為了減少光刻膠的結(jié)晶,需要周期性地進行光刻膠空噴(PR dummy),將可能發(fā)生結(jié)晶的光刻膠噴出,并在下次使用之前還要進行一次光刻膠空噴,以避免可能的結(jié)晶落到晶圓表面。然而,采用周期性空噴光刻膠同樣會帶來大量的光刻膠浪費,從而增加了工藝成本。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題,本發(fā)明提供了一種防止光刻膠結(jié)晶的方法,包括:
通過噴嘴向晶圓噴灑光刻膠并在晶圓表面形成光刻膠涂層;
對噴嘴中存留的光刻膠進行回吸,以在噴嘴中吸入空氣;
將噴嘴置于光刻膠稀釋溶劑中,并吸取光刻膠稀釋溶劑。
進一步,在對噴嘴中存留的光刻膠進行回吸之后,且吸取光刻膠稀釋溶劑之前,還包括排出部分回吸時吸入的空氣的步驟。
進一步,排除部分回吸時吸入的空氣后,噴嘴中剩余的空氣隔離噴嘴中存留的光刻膠與吸取的光刻膠稀釋溶劑。
進一步,通過噴嘴向晶圓噴灑光刻膠之前,還包括通過噴嘴進行空噴的步驟。
進一步,所述光刻膠為正性光刻膠或負性光刻膠。
進一步,所述光刻膠稀釋溶劑為丙二醇甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯或者丙二醇甲醚和丙二醇甲醚醋酸酯混合得到的溶劑。
進一步,所述溶劑為丙二醇甲醚和丙二醇甲醚醋酸酯以7∶3的比例混合得到的混合溶劑。
采用本發(fā)明提供的防止光刻膠結(jié)晶的方法,在回吸光刻膠后,將光刻膠稀釋溶劑吸入噴嘴中,可以將殘留在噴嘴前端及內(nèi)壁處的光刻膠溶解,避免在噴嘴生成光刻膠結(jié)晶,并盡可能減少噴嘴內(nèi)壁處光刻膠結(jié)晶;進一步,在回吸光刻膠后,排出部分回吸時吸入的空氣,可保證以空氣隔離噴嘴內(nèi)光刻膠與光刻膠稀釋溶劑的同時,減少噴嘴內(nèi)的空氣,減少參與光刻膠結(jié)晶的空氣,并增加光刻膠稀釋溶劑覆蓋的噴嘴內(nèi)壁的范圍,最大程度溶解噴嘴內(nèi)壁殘留光刻膠,以達到更好的防止光刻膠結(jié)晶的效果的同時,降低光刻膠空噴的損耗,進而節(jié)約工藝成本。
附圖說明
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