[發明專利]半導體器件制造方法

在審

• 申請號: 201410483005.4
• 申請日: 2014-09-19
• 公開（公告）號: CN105489555A
• 公開（公告）日: 2016-04-13
• 發明（設計）人: 秦長亮;殷華湘;李俊峰;趙超
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導體器件制造方法，包括：

步驟1，在襯底上第一區域和第二區域中形成多個鰭片結構；

步驟2，在第一區域和第二區域中多個鰭片結構上形成保護層；

步驟3，選擇性光刻/刻蝕去除第二區域中的保護層，露出鰭片結 構；

步驟4，在第二區域中露出的鰭片結構上形成第二外延層；

步驟5，自對準刻蝕去除第一區域中的保護層，露出鰭片結構；

步驟6，在第一區域中露出的鰭片結構上形成第一外延層。

2.如權利要求1的方法，其中，第一區域為NMOS區域，第二區域為 PMOS區域；或者，第一區域為PMOS區域，第二區域為NMOS區域。

3.如權利要求1的方法，其中，保護層的材質選自以下之一或其組 合：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、非晶碳、類金剛石 無定形碳、無定形碳氮、多晶硼氮、非晶氟化氫化碳、非晶氟化 碳、氟化四面體碳。

4.如權利要求1的方法，其中，步驟3進一步包括：

在第一區域和第二區域中的保護層上形成掩模層；

光刻/刻蝕掩模層形成掩模圖形，覆蓋第一區域的保護層，露出 第二區域的保護層；

以掩模圖形為掩模，刻蝕第二區域的保護層，露出鰭片結構。

5.如權利要求4的方法，其中，掩模層包括光刻膠，或者低K材料與 光刻膠的組合。

6.如權利要求1的方法，其中，在步驟3和/或步驟5中，采用碳氟基 氣體等離子干法刻蝕、氧等離子體干法刻蝕、或者濕法腐蝕去除 保護層。

7.如權利要求1的方法，其中，第一外延層和/或第二外延層的材質 選自以下之一或其組合：Si、SiC、Si:H、SiGe、SiGeC、SiGeSn。

8.如權利要求1的方法，其中，步驟4中，第二外延層的生長終止面 為<111>晶面；步驟6中，第二區域中的第二外延層上也具有第一 外延層，并且第二區域中第一外延層的厚度小于第二外延層的厚 度。

9.如權利要求1的方法，其中，在步驟4之后、步驟5之前，通過輕 摻雜注入在第二外延層中形成LDD結構；或者在步驟4中，原位摻 雜在第二外延層中形成LDD結構。

10.如權利要求1的方法，其中，步驟1中還包括在多個鰭片結構之間 形成淺溝槽隔離結構；步驟3的保護層與步驟1同時形成。

11.如權利要求1的方法，其中，步驟5進一步包括：

在第一區域和第二區域中的保護層上形成掩模層；

光刻/刻蝕掩模層形成掩模圖形，覆蓋第二區域而露出第一區域 的保護層；

以掩模圖形為掩模，刻蝕第一區域的保護層，露出鰭片結構。