[發明專利]用于處理芯片的方法

在審

• 申請號: 201410480558.4
• 申請日: 2014-09-19
• 公開（公告）號: CN104465317A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: S.馬滕斯;R.派希爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L23/544
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔣駿;馬永利

1.一種用于處理芯片的方法，該方法包括：

提供具有前側和背側的芯片；

通過從所述芯片的所述前側將孔形成到所述芯片中來在所述芯片的所述背側上形成取向標記，所述孔形成所述取向標記。

2.權利要求1所述的方法，

其中通過蝕刻來形成所述孔。

3.權利要求2所述的方法，

其中通過等離子體蝕刻來形成所述孔。

4.權利要求1所述的方法，

其中從所述芯片的所述前側將所述孔形成到所述芯片中包括從所述芯片的所述前側開始將所述孔形成到所述芯片中。

5.權利要求1所述的方法，

其中所述至少一個孔被形成為具有幾何主體形狀的組中的至少一個的幾何主體形狀，所述組由下列項組成：

長方體；

圓柱體；

立方體；

棱柱體；以及

拋物體。

6.權利要求1所述的方法，

其中從所述芯片的所述前側形成到所述芯片中的所述至少一個孔的覆蓋區在從大約20?μm²到大約10,000?μm²的范圍內。

7.一種用于處理芯片的方法，所述方法包括：

提供具有前側和背側的芯片；

通過將至少從所述芯片的前側延伸到所述芯片的所述背側的凹槽形成到所述芯片中來在所述芯片的所述背側上形成取向標記，所述凹槽形成所述取向標記。

8.權利要求7所述的方法，

其中所述凹槽沿著所述芯片的至少一個邊緣從所述前側被形成到所述芯片中。

9.權利要求7所述的方法，

其中通過蝕刻來形成所述凹槽。

10.權利要求9所述的方法，

其中通過等離子體蝕刻來形成所述凹槽。

11.權利要求7所述的方法，

其中所述至少一個凹槽被形成為具有幾何主體形狀的組中的至少一個的幾何主體形狀，所述組由下列項組成：

長方體；

圓柱體；

立方體；

棱柱體；以及

拋物體。

12.權利要求7所述的方法，

其中從所述芯片的所述前側形成到所述芯片中的至少一個凹槽的覆蓋區在從大約20?μm²到大約10,000?μm²的范圍內。

13.一種用于處理多個芯片的方法，所述方法包括：

提供布置在公共載體上的所述多個芯片；以及

通過從所述芯片的前側將孔形成到所述芯片中來在所述多個芯片中的每一個芯片的背側上形成取向標記，所述孔形成所述取向標記。

14.權利要求13所述的方法，還包括：

使所述多個芯片中的至少一個芯片與所述多個芯片中的其它芯片分離。

15.權利要求14所述的方法，

其中通過蝕刻工藝來執行所述至少一個芯片的分離。

16.權利要求15所述的方法，

其中從所述芯片的所述前側施加所述蝕刻工藝。

17.權利要求15所述的方法，

其中蝕刻工藝是等離子體蝕刻工藝。

18.權利要求15所述的方法，

其中在一個公共蝕刻工藝步驟中執行所述分離和所述孔的形成。

19.權利要求14所述的方法，還包括：

使用所述取向標記將單片化的芯片放置在另外的載體上。

20.權利要求14所述的方法，

其中所述至少一個孔被形成為具有幾何主體形狀的組中的至少一個的幾何主體形狀，所述組由下列項組成：

長方體；

圓柱體；

立方體；

棱柱體；以及

拋物體。

21.權利要求14所述的方法，

其中從所述芯片的所述前側形成到所述芯片中的所述至少一個孔的覆蓋區在從大約20?μm²到大約10,000?μm²的范圍內。