[發明專利]用于處理芯片的方法在審
| 申請號: | 201410480558.4 | 申請日: | 2014-09-19 |
| 公開(公告)號: | CN104465317A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發明(設計)人: | S.馬滕斯;R.派希爾 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L23/544 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 蔣駿;馬永利 |
| 地址: | 德國瑙伊比*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 芯片 方法 | ||
技術領域
各種實施例涉及用于處理芯片的方法。
背景技術
在芯片的各種制造過程期間,取向標記可能例如對使用用于在載體上進行定位的取向標記將單塊化芯片放置在載體上是關鍵的。特別是,對于在任何處理步驟期間只有芯片的裸背側是可見的情況,背側具有取向標記對于隨后的處理步驟可能是必要的。
非常小的芯片規模封裝(CSP)的取向標記一般對于例如在具有小于1?mm2的產品尺寸的硅封裝中的二極管和/或晶體管可能是有挑戰性的,因為在這樣的產品尺寸的情況下,單個晶片一般包含多于50,000和甚至高達600,000個單元。芯片規模封裝(CSP)有或沒有焊料隆起焊盤,其中到應用的互連由有或沒有焊料沉積物的扁平焊料焊盤制造。目前,通常在各種制造過程期間通過兩種公知的方法——激光背側標記和背側結構化——來提供芯片的取向標記。
發明內容
提供了用于處理芯片的方法。該方法可包括:提供具有前側和背側的芯片;以及通過從芯片的前側將孔形成到芯片中來在芯片的背側上形成取向標記,孔形成取向標記。
附圖說明
在附圖中,相同的參考符號通常指的是遍及不同的視圖的相同的部件。附圖不一定是按比例的,相反通常將重點放在說明本發明的原理上。在下面的描述中,參考下面的附圖描述了本發明的各種實施例,其中:
圖1圖示根據各種實施例的方法;
圖2圖示根據各種實施例的方法;
圖3圖示根據各種實施例的方法;
圖4圖示根據各種實施例的方法;
圖5圖示根據各種實施例的芯片布置的實施例的底視圖;
圖6圖示根據各種實施例的芯片布置的在圖5中所示的實施例的橫截面視圖;
圖7圖示根據各種實施例的芯片布置的實施例的底視圖;
圖8圖示根據各種實施例的芯片布置的實施例的底視圖;
圖9圖示根據各種實施例的芯片布置的各種實施例的頂視圖;
圖10圖示根據各種實施例的芯片布置的實施例的頂視圖;以及
圖11圖示根據各種實施例的芯片布置的實施例的底視圖。
具體實施方式
下面的詳細描述指的是通過例證示出可實踐本發明的特定細節和實施例的附圖。
詞“示例性”在本文用來意指“用作示例、實例或例證”。在本文被描述為“示例性”的任何實施例或設計不一定被理解為超過其它實施例或設計的優選的或有利的。
關于“在”側面或表面“之上”形成的沉積的材料所使用的詞“在…之上”在本文可用來意指沉積的材料可“直接在”暗指的側面或表面上形成,例如與暗指的側面或表面直接接觸。關于“在”側面或表面“之上”形成的沉積的材料所使用的詞“在…之上”在本文可用來意指沉積的材料可“間接地在”暗指的側面或表面上形成,其中一個或多個附加的層被布置在暗指的側面或表面和沉積的材料之間。
各種實施例例證地組合蝕刻和/或等離子體蝕刻(也被稱為等離子體切割)的工藝(以便通過例如蝕刻在單元之間的切縫來分離整個晶片的單元)以及在芯片區域內的蝕刻區域的附加的蝕刻和/或等離子體蝕刻工藝(以便在一個公共工藝中得到在每一個單元上的至少一個取向標記)。換句話說,可在一個公共工藝中執行芯片的切割和標記。
通過舉例,可指示產品取向以在各種隨后的工藝(例如粘膠帶工藝)期間防止產品(例如單個芯片)的錯誤取向,以確保產品以正確的取向被放置到帶式載體中。通常在芯片規模封裝(CSP)的粘膠帶工藝期間,封裝必須被放置到具有將被制造有如所指的標準拾取和放置裝備的面向下的焊盤側的帶式載體中,且因此一旦產品在常規工藝中被放置到帶式載體中,就沒有可見的產品取向標記。
圖1示出根據各種實施例的用于處理芯片的方法100。用于處理芯片的方法100可包括在102中提供具有前側和背側的芯片以及在104中通過從芯片的前側將孔形成到芯片中來在芯片的背側上形成取向標記,其中孔可形成取向標記。
方法100還可包括:通過從芯片的前側將孔形成到芯片中來在芯片的背側上形成取向標記,其中孔可形成取向標記,且其中從芯片的前側將孔形成到芯片中可包括從芯片的前側開始將孔形成到芯片中。
芯片可以是裸芯片,其中芯片或裸芯片也可分別被稱為管芯或裸管芯。在本文中,術語“裸芯片”或“裸管芯”分別指定可能還沒有被封裝的芯片和管芯。換句話說,裸芯片或裸管芯可以在本文中所公開的方法的處理期間被解除封裝,其中這樣的組裝也可被稱為芯片規模封裝(CSP)。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





