[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410475451.0
• 申請日: 2014-09-17
• 公開（公告）號: CN104465659B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 牧幸生
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L27/11;G11C11/40
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有主表面；

位線，所述位線在所述主表面上延伸；

字線，在平面圖中，所述字線在所述主表面上延伸，以便與所述位線交叉；

多個第一接觸圖案，在平面圖中，所述多個第一接觸圖案包括在所述位線延伸的方向上伸長的接觸圖案和在所述字線延伸的方向上伸長的接觸圖案中的至少一個；和

多個第二接觸圖案，在平面圖中，所述多個第二接觸圖案每一個都在相對于所述位線和所述字線的各自延伸的方向傾斜的方向上伸長，

其中，所述第一接觸圖案和所述第二接觸圖案形成在所述主表面上的相同的層中，以及

其中，所述第一接觸圖案和所述第二接觸圖案在平面圖中不相重疊并且被彼此隔開地布置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述第一接觸圖案包括在平面圖中在所述位線延伸的方向上伸長的接觸圖案和在平面圖中在所述字線延伸的方向上伸長的接觸圖案。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括：

靜態(tài)型存儲器單元存取晶體管，

其中，所述存取晶體管包括一對源極/漏極區(qū)，并且

其中，所述第二接觸圖案中的每一個將所述存取晶體管的所述一對源極/漏極區(qū)中的一個與所述位線耦合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括：

多個第一耦合層和多個第二耦合層，所述多個第一耦合層和所述多個第二耦合層中的每一個耦合到所述主表面，并且

其中，所述第一接觸圖案中的每一個被形成為與所述第一耦合層中的每一個的上表面接觸，并且所述第二接觸圖案中的每一個被形成為與所述第二耦合層中的每一個的上表面接觸。