[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201410475125.X
• 申請日: 2014-09-17
• 公開（公告）號: CN104600038B
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發明（設計）人: 高橋卓也;大坪義貴
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 何立波,張天舒

技術領域

本發明涉及一種在例如大電流的控制等中使用的半導體裝置。

背景技術

在專利文獻1中，公開了不具有基座板的無基座構造的半導體裝置。該半導體裝置構成為，將絕緣基板利用粘接劑固定在殼體上。

專利文獻1：日本特開平7－326711號公報

無基座構造的半導體裝置由于沒有基座板，所以剛性低。因此，有時在通過螺釘緊固等將半導體裝置固定于散熱器時，對絕緣基板施加力，使絕緣基板向上凸出翹曲。如果絕緣基板向上凸出翹曲，則存在下述問題，即，在絕緣基板上產生裂縫、或使絕緣基板和散熱器之間的熱阻增加。

發明內容

本發明就是為了解決上述課題而提出的，其目的在于，提供一種能夠抑制絕緣基板向上凸起翹曲的半導體裝置。

本發明所涉及的半導體裝置的特征在于，具有：絕緣基板；半導體元件，其固定在該絕緣基板的上表面；殼體，其由樹脂形成，具有包圍該半導體元件的包圍部；金屬支撐體，其端部由該包圍部固定，該金屬支撐體位于該絕緣基板的上方；按壓部，其從該金屬支撐體向下方延伸，以使得該絕緣基板不向上凸起翹曲；以及粘接劑，其將該絕緣基板和該殼體粘接。

發明的效果

根據本發明，由按壓部阻止絕緣基板向上方的位移，因此，能夠抑制絕緣基板向上凸起翹曲。

附圖說明

圖1是本發明的實施方式1所涉及的半導體裝置的剖面圖。

圖2是半導體裝置的俯視圖。

圖3是金屬支撐體等的斜視圖。

圖4是表示將半導體裝置向散熱器固定的圖。

圖5是本發明的實施方式2所涉及的半導體裝置的剖面圖。

圖6是本發明的實施方式3所涉及的半導體裝置的剖面圖。

圖7是本發明的實施方式4所涉及的半導體裝置的剖面圖。

圖8是半導體裝置的局部剖面圖。

圖9是對使粘接劑熱硬化的工序進行說明的圖。

圖10是本發明的實施方式5所涉及的半導體裝置的剖面圖。

圖11是本發明的實施方式6所涉及的半導體裝置的剖面圖。

圖12是本發明的實施方式7所涉及的半導體裝置的剖面圖。

圖13是本發明的實施方式8所涉及的半導體裝置的剖面圖。

圖14是本發明的實施方式9所涉及的半導體裝置的剖面圖。

標號的說明

10半導體裝置，12絕緣基板，14陶瓷基板，16金屬圖案，18金屬膜，20焊料，22半導體元件，30殼體，30A包圍部，30B延伸部，30C按壓部，30D貫穿孔，40金屬支撐體

具體實施方式

參照附圖，對本發明的實施方式所涉及的半導體裝置進行說明。對于相同或者對應的結構要素，有時標注相同的標號，省略重復說明。

實施方式1

圖1是本發明的實施方式1所涉及的半導體裝置10的剖面圖。半導體裝置10具有絕緣基板12。絕緣基板12具有陶瓷基板14、在陶瓷基板14的上表面側形成的金屬圖案16、以及在陶瓷基板14的下表面側形成的金屬膜18。金屬圖案16和金屬膜18例如由鋁形成。如上述所示，絕緣基板12是在陶瓷基板14的雙面上形成有鋁的結構。

在絕緣基板12的上表面，利用焊料20固定有半導體元件22。半導體元件22是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)或者二極管等，但并不特別限定于此。

半導體裝置10具有例如由PPS樹脂(聚苯硫醚樹脂)形成的殼體30。殼體30具有包圍部30A、延伸部30B以及按壓部30C。包圍部30A是包圍半導體元件22的部分。延伸部30B是從包圍部30A向絕緣基板12的上方延伸的部分。按壓部30C是從絕緣基板12的上方按壓絕緣基板12的中央部，以使得絕緣基板12不向上凸起翹曲的部分。

在延伸部30B上搭載有金屬支撐體40。金屬支撐體40由棒狀的銅形成。金屬支撐體40的端部通過例如插入成型而固定在包圍部30A上。即，金屬支撐體40的端部埋入至包圍部30A中。該金屬支撐體40位于絕緣基板12的上方。

圖2是半導體裝置10的俯視圖。在殼體30的包圍部30A的四角形成有貫穿孔30D。并且，金屬支撐體40設置為橫穿絕緣基板12的中央部。按壓部30C的位置由虛線表示，是絕緣基板12中央的正上方。

圖3是金屬支撐體40等的斜視圖。金屬支撐體40位于延伸部30B以及按壓部30C的正上方。由于按壓部30C從金屬支撐體40向下方延伸，所以利用金屬支撐體40抑制了按壓部30C向上方的位移。