[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201410475125.X
• 申請日: 2014-09-17
• 公開（公告）號: CN104600038B
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發明（設計）人: 高橋卓也;大坪義貴
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 何立波,張天舒

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

絕緣基板；

半導體元件，其固定在所述絕緣基板的上表面；

殼體，其由樹脂形成，具有包圍所述半導體元件的包圍部；

金屬支撐體，其端部由所述包圍部固定，該金屬支撐體位于所述絕緣基板的上方；

按壓部，其從所述金屬支撐體向下方延伸，以使得所述絕緣基板不向上凸起翹曲；以及

粘接劑，其將所述絕緣基板和所述殼體粘接,

所述絕緣基板通過被所述按壓部向下方按壓，從而向下凸出翹曲，

所述絕緣基板的下表面與所述殼體的下表面相比位于下方。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

具有多個所述按壓部。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

由彈性體形成所述按壓部。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述金屬支撐體由銅形成，

所述樹脂是PPS樹脂。

5.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述絕緣基板僅經由所述粘接劑與所述包圍部接觸。

6.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

將所述金屬支撐體作為所述半導體元件的電極使用。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，

所述按壓部與所述金屬支撐體一體地由金屬形成，

所述按壓部固定在所述半導體元件的電極上。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，

所述按壓部與所述金屬支撐體一體地由金屬形成，

所述絕緣基板具有陶瓷基板以及在所述陶瓷基板的上表面側形成的金屬圖案，

所述按壓部固定在所述金屬圖案上。

9.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述絕緣基板是在陶瓷基板的雙面上形成有鋁的結構。

10.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體元件由寬帶隙半導體形成。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，

所述寬帶隙半導體是碳化硅、氮化鎵類材料、或者金剛石。

12.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

絕緣基板；

半導體元件，其固定在所述絕緣基板的上表面；

殼體，其由樹脂形成，具有包圍所述半導體元件的包圍部；

金屬支撐體，其端部由所述包圍部固定，該金屬支撐體位于所述絕緣基板的上方；

按壓部，其從所述金屬支撐體向下方延伸，以使得所述絕緣基板不向上凸起翹曲；以及

粘接劑，其將所述絕緣基板和所述殼體粘接，

所述殼體具有與所述包圍部連接并向所述絕緣基板的上方延伸的延伸部，

所述金屬支撐體搭載在所述延伸部上，

所述按壓部是與所述延伸部連接的、所述殼體的一部分，

所述金屬支撐體具有凹部，

在所述按壓部的上部，所述延伸部的樹脂填滿所述凹部。