[發明專利]雙軌預充電邏輯單元結構有效
| 申請號： | 201410473366.0 | 申請日： | 2014-09-16 |
| 公開（公告）號： | CN104378103B | 公開（公告）日： | 2017-08-04 |
| 發明（設計）人： | 王晨旭;王佰玲;王新勝;李杰;羅敏;宋晨晨;逄曉;趙雷鵬 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學(威海) |
| 主分類號： | H03K19/20 | 分類號： | H03K19/20 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所23109 | 代理人： | 張宏威 |
| 地址： | 264209*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雙軌 充電 邏輯 單元 結構 | ||
1.雙軌預充電邏輯單元結構，為與-與非邏輯，其特征在于，它包括單軌與邏輯電路和單軌與非邏輯電路；單軌與邏輯電路和單軌與非邏輯電路均具有四個輸入端，分別連接四個輸入信號a、b和單軌與邏輯電路的輸出信號y為輸入信號a和b的與邏輯結果；單軌與非邏輯電路的輸出信號為輸入信號a和b的與非邏輯結果；
輸入信號a，b和都為0時，邏輯單元處于預充電狀態；輸入信號a和為互補信號，且b和也為互補信號時，邏輯單元處于邏輯運算狀態；
單軌與邏輯電路包括NMOS晶體管N1'、NMOS晶體管N2'、NMOS晶體管N3'、NMOS晶體管N4'、NMOS晶體管N5'、NMOS晶體管N6'、PMOS晶體管P1'、PMOS晶體管P2'、PMOS晶體管P3'、PMOS晶體管P4'、PMOS晶體管P5'、PMOS晶體管P6'和反相器I1'；NMOS晶體管N1'的源極和NMOS晶體管N2'的源極公共端連接輸入信號NMOS晶體管N1'的漏極同時連接NMOS晶體管N2'的漏極、PMOS晶體管P3'的漏極和NMOS晶體管N5'的源極，并形成公共節點nb1；PMOS晶體管P3'的源極連接PMOS晶體管P4'的漏極，PMOS晶體管P4'的源極連接電源VDD；NMOS晶體管N5'的漏極同時連接PMOS晶體管P1'的漏極、NMOS晶體管N6'的漏極和反相器I1'的輸入端，并形成公共節點nb3；反相器I1'的輸出端輸出信號y；PMOS晶體管P1'的源極連接PMOS晶體管P2'漏極，PMOS晶體管P2'的源極連接電源VDD；NMOS晶體管N3'的源極和NMOS晶體管N4'的源極公共端連接輸入信號NMOS晶體管N3'的漏極同時連接NMOS晶體管N4'的漏極、PMOS晶體管P5'的漏極和NMOS晶體管N6'的源極，并形成公共節點nb2；PMOS晶體管P5'的源極連接PMOS晶體管P6'的漏極，PMOS晶體管P6'的源極連接電源VDD；
單軌與非邏輯電路包括NMOS晶體管N1、NMOS晶體管N2、NMOS晶體管N3、NMOS晶體管N4、NMOS晶體管N5、NMOS晶體管N6、PMOS晶體管P1、PMOS晶體管P2、PMOS晶體管P3、PMOS晶體管P4、PMOS晶體管P5、PMOS晶體管P6和反相器I1；NMOS晶體管N1的源極和NMOS晶體管N2的源極公共端連接輸入信號a；NMOS晶體管N1的漏極同時連接NMOS晶體管N2的漏極、PMOS晶體管P3的漏極和NMOS晶體管N5的源極，并形成公共節點n1；PMOS晶體管P3的源極連接PMOS晶體管P4的漏極，PMOS晶體管P4的源極連接電源VDD；NMOS晶體管N5的漏極同時連接PMOS晶體管P1的漏極、NMOS晶體管N6的漏極和反相器I1的輸入端，并形成公共節點n3；反相器I1的輸出端輸出信號PMOS晶體管P1的源極連接PMOS晶體管P2漏極，PMOS晶體管P2的源極連接電源VDD；NMOS晶體管N3的源極和NMOS晶體管N4的源極公共端連接輸入信號b；NMOS晶體管N3的漏極同時連接NMOS晶體管N4的漏極、PMOS晶體管P5的漏極和NMOS晶體管N6的源極，并形成公共節點n2；PMOS晶體管P5的源極連接PMOS晶體管P6的漏極，PMOS晶體管P6的源極連接電源VDD；
NMOS晶體管N2'的柵極、NMOS晶體管N4'的柵極、PMOS晶體管P3'的柵極、PMOS晶體管P5'的柵極、NMOS晶體管N2的柵極、NMOS晶體管N4的柵極、PMOS晶體管P3的柵極和PMOS晶體管P5的柵極都連接輸入信號a；
NMOS晶體管N1'的柵極、NMOS晶體管N3'的柵極、PMOS晶體管P4'的柵極、PMOS晶體管P6'的柵極、NMOS晶體管N1的柵極、NMOS晶體管N3的柵極、PMOS晶體管P4的柵極和PMOS晶體管P6的柵極都連接輸入信號
NMOS晶體管N5'的柵極、PMOS晶體管P1'的柵極、NMOS晶體管N5的柵極和PMOS晶體管P1的柵極都連接輸入信號b；
NMOS晶體管N6'的柵極、PMOS晶體管P2'的柵極、NMOS晶體管N6的柵極和PMOS晶體管P2的柵極都連接輸入信號
2.雙軌預充電邏輯單元結構，為或-或非邏輯，其特征在于，它包括單軌或邏輯電路和單軌或非邏輯電路；單軌或邏輯電路和單軌或非邏輯電路均具有四個輸入端，分別連接四個輸入信號a、b和單軌或邏輯電路的輸出信號y為輸入信號a和b的或邏輯結果；單軌或非邏輯電路的輸出信號為輸入信號a和b的或非邏輯結果；
輸入信號a，b和都為0時，邏輯單元處于預充電狀態；輸入信號a和為互補信號，且b和也為互補信號時，邏輯單元處于邏輯運算狀態；
單軌或邏輯電路包括NMOS晶體管N1'、NMOS晶體管N2'、NMOS晶體管N3'、NMOS晶體管N4'、NMOS晶體管N5'、NMOS晶體管N6'、PMOS晶體管P1'、PMOS晶體管P2'、PMOS晶體管P3'、PMOS晶體管P4'、PMOS晶體管P5'、PMOS晶體管P6'和反相器I1'；NMOS晶體管N1'的源極和NMOS晶體管N2'的源極公共端連接輸入信號NMOS晶體管N1'的漏極同時連接NMOS晶體管N2'的漏極、PMOS晶體管P3'的漏極和NMOS晶體管N5'的源極，并形成公共節點nb1；PMOS晶體管P3'的源極連接PMOS晶體管P4'的漏極，PMOS晶體管P4'的源極連接電源VDD；NMOS晶體管N5'的漏極同時連接PMOS晶體管P1'的漏極、NMOS晶體管N6'的漏極和反相器I1'的輸入端，并形成公共節點nb3；反相器I1'的輸出端輸出信號y；PMOS晶體管P1'的源極連接PMOS晶體管P2'漏極，PMOS晶體管P2'的源極連接電源VDD；NMOS晶體管N3'的源極和NMOS晶體管N4'的源極公共端連接輸入信號NMOS晶體管N3'的漏極同時連接NMOS晶體管N4'的漏極、PMOS晶體管P5'的漏極和NMOS晶體管N6'的源極，并形成公共節點nb2；PMOS晶體管P5'的源極連接PMOS晶體管P6'的漏極，PMOS晶體管P6'的源極連接電源VDD；
單軌或非邏輯電路包括NMOS晶體管N1、NMOS晶體管N2、NMOS晶體管N3、NMOS晶體管N4、NMOS晶體管N5、NMOS晶體管N6、PMOS晶體管P1、PMOS晶體管P2、PMOS晶體管P3、PMOS晶體管P4、PMOS晶體管P5、PMOS晶體管P6和反相器I1；NMOS晶體管N1的源極和NMOS晶體管N2的源極公共端連接輸入信號b；NMOS晶體管N1的漏極同時連接NMOS晶體管N2的漏極、PMOS晶體管P3的漏極和NMOS晶體管N5的源極，并形成公共節點n1；PMOS晶體管P3的源極連接PMOS晶體管P4的漏極，PMOS晶體管P4的源極連接電源VDD；NMOS晶體管N5的漏極同時連接PMOS晶體管P1的漏極、NMOS晶體管N6的漏極和反相器I1的輸入端，并形成公共節點n3；反相器I1的輸出端輸出信號PMOS晶體管P1的源極連接PMOS晶體管P2漏極，PMOS晶體管P2的源極連接電源VDD；NMOS晶體管N3的源極和NMOS晶體管N4的源極公共端連接輸入信號a；NMOS晶體管N3的漏極同時連接NMOS晶體管N4的漏極、PMOS晶體管P5的漏極和NMOS晶體管N6的源極，并形成公共節點n2；PMOS晶體管P5的源極連接PMOS晶體管P6的漏極，PMOS晶體管P6的源極連接電源VDD；
NMOS晶體管N2'的柵極、NMOS晶體管N4'的柵極、PMOS晶體管P3'的柵極、PMOS晶體管P5'的柵極、NMOS晶體管N2的柵極、NMOS晶體管N4的柵極、PMOS晶體管P3的柵極和PMOS晶體管P5的柵極都連接輸入信號a；
NMOS晶體管N1'的柵極、NMOS晶體管N3'的柵極、PMOS晶體管P4'的柵極、PMOS晶體管P6'的柵極、NMOS晶體管N1的柵極、NMOS晶體管N3的柵極、PMOS晶體管P4的柵極和PMOS晶體管P6的柵極都連接輸入信號
NMOS晶體管N5'的柵極、PMOS晶體管P1'的柵極、NMOS晶體管N5的柵極和PMOS晶體管P1的柵極都連接輸入信號b；
NMOS晶體管N6'的柵極、PMOS晶體管P2'的柵極、NMOS晶體管N6的柵極和PMOS晶體管P2的柵極都連接輸入信號
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