[發明專利]一種立體集成電感結構的制備方法

有效

• 申請號: 201410470308.2
• 申請日: 2014-09-15
• 公開（公告）號: CN104241188B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發明（設計）人: 梅紹寧;鞠韶復;朱繼鋒
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/71
• 分類號: H01L21/71
• 代理公司: 上海申新律師事務所31272
• 代理人: 吳俊

1.一種立體集成電感結構的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟S1、提供一半導體襯底，并于所述半導體襯底之上依次制備第一絕緣層和底層金屬薄膜后，去除部分所述底層金屬薄膜，以于所述第一絕緣層之上形成若干平行排列的底部金屬導線；

步驟S2、制備第二絕緣層覆蓋所述若干底部金屬導線及所述第一絕緣層暴露的表面，并刻蝕所述第二絕緣層，以于各所述底部金屬導線的長度延伸方向的兩端部區域之上均形成一第一通孔；

于所述第一通孔中填充第一金屬，以于所述底部金屬導線之上形成兩列第一金屬孔連線；

步驟S3、制備第三絕緣層覆蓋所述第一金屬孔連線和所述第二絕緣層的上表面，并刻蝕第三絕緣層，以于各所述第一金屬孔連線之上形成一第二通孔以及若干凹槽；

所述若干凹槽包括環繞設置所有第二通孔的一環形凹槽以及與各列第一金屬孔連線延伸方向平行的若干條狀凹槽；

于所述第二通孔和所述凹槽中填充第二金屬，以于各所述第一金屬孔連線之上均形成一第二金屬孔連線，以及若干磁芯；

步驟S4、制備第四絕緣層覆蓋所述第二金屬孔連線、所述磁芯和所述第三絕緣層的上表面，并刻蝕第四絕緣層，以于各所述第二金屬孔連線之上均形成一第三通孔；

于所述第三通孔中填充第三金屬，以于所述第三通孔中形成一第三金屬孔連線；

步驟S5、制備頂層金屬薄膜覆蓋所述第三金屬孔連線和所述第四絕緣層的上表面；刻蝕所述頂層金屬薄膜，以形成若干平行排列的頂部金屬導線；

其中，所述頂部金屬導線通過所述第三金屬孔連線、所述第二金屬孔連線和所述第一金屬孔連線將所述底部金屬導線首尾依次連接。

2.如權利要求1所述的立體集成電感結構的制備方法，其特征在于，步驟S5中，與所述底部金屬導線在垂直投影方向上構成一定夾角刻蝕所述頂層金屬薄膜以形成所述頂部金屬導線。

3.如權利要求1所述的立體集成電感結構的制備方法，其特征在于，所述第一金屬與所述第三金屬的材質均為金屬導體材質。

4.如權利要求3所述的立體集成電感結構的制備方法，其特征在于，所述金屬導體材質為鎢，鋁或銅。

5.如權利要求1所述的立體集成電感結構的制備方法，其特征在于，所述第二金屬的材質為鐵磁金屬材質。

6.如權利要求5所述的立體集成電感結構的制備方法，其特征在于，所述鐵磁金屬材質為鈷或鎳。

7.如權利要求1所述的立體集成電感結構的制備方法，其特征在于，所述底層金屬薄膜與所述頂層金屬薄膜的材質均為鋁。

8.如權利要求1所述的立體集成電感電容結構的制備方法，其特征在于，步驟S2～S5中，任一填充金屬或者制備絕緣層工藝之后均需要進行化學機械拋光工藝。