[發(fā)明專利]一種N型PERC晶體硅太陽能電池及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410467137.8 | 申請日: | 2014-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN104218113A | 公開(公告)日: | 2014-12-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 夏正月;高艷濤;崔會英;錢亮;何銳;張斌;邢國強 | 申請(專利權(quán))人: | 奧特斯維能源(太倉)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/068 | 分類號: | H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 劉燕嬌 |
| 地址: | 215434 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 perc 晶體 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
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技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于光伏技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種N型PERC晶體硅太陽能電池及其制備方法。?
背景技術(shù)
相對于P型硅片,N型硅片具有更高的少數(shù)載流子壽命,且對金屬雜質(zhì)的敏感性較弱,另外對于基體中沒有人為摻雜的硼原子,不會形成硼氧復(fù)合對,所以N型電池?zé)o光致衰減,上述原因使N型硅片成為高校晶硅電池寵兒,但有利有弊,N型硅片的工藝制程相對比較復(fù)雜,制備成本比較高,所以目前產(chǎn)業(yè)化的仍舊是P型電池。?
目前,背鈍化電池技術(shù)在P型電池上已經(jīng)較為成熟,但在N型電池上用于工業(yè)化生產(chǎn)的技術(shù)方案仍然比較稀缺。?
故需要一種新的技術(shù)方案,已解決上述問題。?
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的:針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題和不足,本發(fā)明的目的是提供了一種N型PERC晶體硅太陽能電池及其制備方法。?
技術(shù)方案:本發(fā)明公開了一種N型PERC晶體硅太陽能電池,以電阻率為0.5-12?ohmcm?的N型硅片作為基體,正面設(shè)有硼擴散P性發(fā)射結(jié)并設(shè)有絲網(wǎng)印刷的銀鋁電極,背面從上至下依次設(shè)有氧化鋁鈍化膜和蒸鍍鋁層,所述氧化鋁鈍化膜上設(shè)有點陣或者線陣型鏤空,所述蒸鍍鋁層通過氧化鋁鈍化膜與硅基體局域接觸。由于氧化鋁鈍化膜上的鏤空,使得部分硅基極露出,該部分硅基體與蒸鍍鋁層局域接觸。?
本發(fā)明通過在電池背面設(shè)有鈍化膜,有效增加對長波光的吸收,對未來薄片電池提供了技術(shù)保證。?
本發(fā)明還公開了一種N型PERC晶體硅太陽能電池的制備方法,包括以下步驟:?
(1).硅片去損傷并制絨;
(2).電池正面通過硼擴散形成P型發(fā)射結(jié);
(3).利用擴散自然形成的硼硅玻璃作為電池正面掩膜,實現(xiàn)硅片背面去除反射結(jié)以及拋光的目的,同時,去除硅片正面制絨面的硼硅玻璃并進(jìn)行清洗;
(4).?電池兩表面對稱生長氧化鋁鈍化膜;
(5).電池正面生長氮化硅作為減反膜;
(6).硅片正面印刷銀鋁漿柵線并燒結(jié)金屬即電極金屬化;
(7).?硅片背面用激光在氧化鋁薄膜上開孔;
(8).硅片背面蒸鍍鋁層;
(9).在forming?gas氣氛下退火;
其中:步驟(1)所述的硅片采用N型單晶硅片作為基體,電阻率控制在0.5-12?ohmcm;
步驟(2)采用管式硼擴散;
步驟(3)采用濕法設(shè)備對硅片背面進(jìn)行硼硅玻璃去除,采用溶液濃度為0.1-20%的氫氟酸溶液進(jìn)行清洗;
步驟(5)硅片正面采用PECVD的方法生長氮化硅減反膜。
上述介質(zhì)薄膜生長部分順序可以改變。?
本發(fā)明所述的步驟(2)中的硼擴散方阻控制在45-140?ohm/sq。?
本發(fā)明所述的步驟(4)中的鈍化膜厚度控制在2-40nm。?
本發(fā)明所述的步驟(5)中正面氮化硅減反膜厚度控制在50-90nm。?
本發(fā)明所述的步驟(5)中正面氮化硅減反膜折射率控制在1.9-2.3。?
本發(fā)明所述的步驟(7)中激光刻蝕為線陣列或點陣列,刻蝕線寬控制在10-100um,間距控制在0.3-2.5mm。?
本發(fā)明所述的步驟(8)中蒸鍍的鋁層厚度控制在0.5-3um。?
本發(fā)明所述的步驟(9)的退火溫度控制在200-400℃,時間控制在5-60分鐘。?
有益效果:本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點:?
1、本發(fā)明通過采用將背鈍化與金屬化區(qū)域局域接觸相結(jié)合,且巧妙利用氧化鋁雙面沉積,簡化了背面再次沉積薄膜的步驟,同時背面氧化鋁中的負(fù)固定電荷能在N型硅基體上誘導(dǎo)一層反型層,耗盡表面多數(shù)載流子達(dá)到良好的背表面鈍化效果。具有高效低成本等特點,且制備方法步驟簡單,操作方便,具有良好的經(jīng)濟效益;
2、本發(fā)明通過采用電池背面介質(zhì)膜,使內(nèi)背反射從65%增加到92-95%,提高對長波光的吸收,為薄片電池提高了技術(shù)保證;
3、本發(fā)明通過采用背鈍化,能有效降低介質(zhì)薄膜區(qū)域的背面符合速率至10-50?cm/s。
4、本發(fā)明能夠直接在現(xiàn)行的工業(yè)化太陽電池生產(chǎn)線上實現(xiàn)。?
附圖說明
????圖1為本發(fā)明的電池截面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





