[發(fā)明專利]一種N型PERC晶體硅太陽能電池及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410467137.8
• 申請日: 2014-09-15
• 公開（公告）號: CN104218113A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發(fā)明（設計）人: 夏正月;高艷濤;崔會英;錢亮;何銳;張斌;邢國強
• 申請（專利權）人: 奧特斯維能源（太倉）有限公司
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 劉燕嬌

1.一種N型PERC晶體硅太陽能電池，其特征在于：以電阻率為0.5-12?ohm·cm?的N型硅片作為基體，正面設有硼擴散（3）P性發(fā)射結并設有絲網印刷的銀鋁電極（1），背面從上至下依次設有氧化鋁鈍化膜（5）和蒸鍍鋁層（6），所述氧化鋁鈍化膜（5）上設有點陣或者線陣型鏤空，所述蒸鍍鋁層（6）通過氧化鋁鈍化膜（5）與硅基體（4）局域接觸。

2.一種N型PERC晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）.硅片去損傷并制絨；

（2）.電池正面通過硼擴散形成P型發(fā)射結；

（3）.利用擴散自然形成的硼硅玻璃作為電池正面掩膜，實現硅片背面去除反射結以及拋光的目的，同時，去除硅片正面制絨面的硼硅玻璃并進行清洗；

（4）.電池兩表面對稱生長氧化鋁鈍化膜；?

（5）.電池正面生長氮化硅作為減反膜；

（6）.硅片正面印刷銀鋁漿柵線并燒結；

（7）.硅片背面用激光在氧化鋁鈍化膜上開孔；

（8）.硅片背面蒸鍍鋁層；

（9）.在forming?gas氣氛下退火；

其中：步驟（1）所述的硅片采用N型單晶硅片作為基體，電阻率控制在0.5-12?ohm·cm；

步驟（2）采用管式硼擴散；

步驟（3）采用濕法設備對硅片背面進行硼硅玻璃去除，采用溶液濃度為0.1-20%的氫氟酸溶液進行清洗；

步驟（5）硅片正面采用PECVD的方法生長氮化硅減反膜。

3.根據權利要求2所述的一種N型PERC晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中的硼擴散方阻控制在45-140?ohm/sq。

4.根據權利要求2所述的一種N型PERC晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述步驟（4）中的鈍化膜厚度控制在2-40nm。

5.根據權利要求2所述的一種N型PERC晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述步驟（5）中正面氮化硅減反膜厚度控制在50-90nm。

6.根據權利要求5所述的一種N型PERC晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述步驟（5）中正面氮化硅減反膜折射率控制在1.9-2.3。

7.根據權利要求2所述的一種N型PERC晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述步驟（7）中的激光刻蝕為線陣列或點陣列，刻蝕線寬控制在10-100um，間距控制在0.3-2.5mm。

8.根據權利要求2所述的一種N型PERC晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述步驟（8）中蒸鍍的鋁層厚度控制在0.5-3um。

9.根據權利要求2所述的一種N型PERC晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述步驟(9)的退火溫度控制在200-400℃，時間控制在5-60℃。