[發(fā)明專利]讀出放大器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410465842.4 | 申請(qǐng)日: | 2014-09-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105469818B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-01-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馮楚華;楊光軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C7/06 | 分類號(hào): | G11C7/06 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 讀出 放大器 | ||
1.一種讀出放大器,包括第一級(jí)比較器、第二級(jí)比較器,其特征在于:該讀出放大器還包括一電源弱相關(guān)偏置電壓產(chǎn)生電路,該電源弱相關(guān)偏置電壓產(chǎn)生電路包括一源極跟隨器及一鉗位電路,該鉗位電路包括第四PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管及第一電阻,該第四PMOS管源極與該第五NMOS管漏極接電源電壓,該第五NMOS管柵極與該第四PMOS管的漏極、該第四NMOS管的漏極相接形成第一節(jié)點(diǎn),該第五NMOS管源極與該第四PMOS管柵極、該第四NMOS管柵極以及第一電阻相接形成第二節(jié)點(diǎn),該第一電阻的另一端接地,該鉗位電路用于產(chǎn)生一與電源弱相關(guān)而與工藝相關(guān)的基準(zhǔn)電壓,該源極跟隨器用于對(duì)該基準(zhǔn)電壓進(jìn)行微調(diào)并增加電路的帶負(fù)載能力,該電源弱相關(guān)偏置電壓產(chǎn)生電路分別連接該第一級(jí)比較器與該第二級(jí)比較器的電流偏置電路,以產(chǎn)生一與閾值電壓相關(guān)而與電源電壓弱相關(guān)的偏置電壓給該第一級(jí)比較器與該第二級(jí)比較器的電流偏置電路。
2.如權(quán)利要求1所述的一種讀出放大器,其特征在于:該源極跟隨器包括第六NMOS管和第二電阻,該第六NMOS管漏極接電源電壓,柵極接該第一節(jié)點(diǎn),源極與該第二電阻一端相接形成輸出節(jié)點(diǎn),該第二電阻另一端接地。
3.如權(quán)利要求2所述的一種讀出放大器,其特征在于:該輸出節(jié)點(diǎn)與該第一級(jí)比較器及該第二級(jí)比較器的電流偏置電路連接以提供一與閾值電壓相關(guān)而與電源電壓弱相關(guān)的偏置電壓。
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