[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件及其制法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410464411.6
• 申請(qǐng)日: 2014-09-12
• 公開（公告）號(hào): CN105470209A
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳彥亨;詹慕萱;紀(jì)杰元
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 矽品精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/12
• 分類號(hào): H01L23/12;H01L21/52
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽(yáng)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明有關(guān)一種半導(dǎo)體封裝件的制法，尤指一種提升產(chǎn)能的半導(dǎo) 體封裝件及其制法。

背景技術(shù)

隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁向多功能、高性能 的趨勢(shì)。為了滿足半導(dǎo)體封裝件微型化(miniaturization)的封裝需 求，發(fā)展出晶圓級(jí)封裝(WaferLevelPackaging,WLP)的技術(shù)。

如圖1A至圖1E，其為現(xiàn)有晶圓級(jí)半導(dǎo)體封裝件1的制法的剖面示 意圖。

如圖1A所示，形成一熱化離型膠層(thermalreleasetape)11 于一承載件10上。

接著，置放多個(gè)半導(dǎo)體元件12于該熱化離型膠層11上，該些半 導(dǎo)體元件12具有相對(duì)的主動(dòng)面12a與非主動(dòng)面12b，各該主動(dòng)面12a 上均具有多個(gè)電極墊120，且各該主動(dòng)面12a粘著于該熱化離型膠層 11上。

如圖1B所示，形成一封裝膠體13于該熱化離型膠層11上，以包 覆該半導(dǎo)體元件12，且使該半導(dǎo)體元件12的非主動(dòng)面12b外露于該封 裝膠體13。

如圖1C所示，于該封裝膠體13及該半導(dǎo)體元件12的非主動(dòng)面12b 上藉由一結(jié)合層170貼覆一支撐件17，再烘烤該封裝膠體13以硬化該 熱化離型膠層11而移除該熱化離型膠層11與該承載件10，使該半導(dǎo) 體元件12的主動(dòng)面12a外露。之后，固化(curing)該封裝膠體13。

如圖1D所示，進(jìn)行線路重布層(Redistributionlayer,RDL)制 程，形成一線路重布結(jié)構(gòu)14于該封裝膠體13與該半導(dǎo)體元件12的主 動(dòng)面12a上，令該線路重布結(jié)構(gòu)14電性連接該半導(dǎo)體元件12的電極 墊120。

接著，形成一絕緣保護(hù)層15于該線路重布結(jié)構(gòu)14上，且該絕緣 保護(hù)層15外露該線路重布結(jié)構(gòu)14的部分表面，以供結(jié)合如焊球的導(dǎo) 電元件16。

如圖1E所示，沿如圖1D所示的切割路徑S進(jìn)行切單制程，以獲 取多個(gè)半導(dǎo)體封裝件1(即封裝單元)。

現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件1的制法為晶圓級(jí)(waferform)，而為降低 生產(chǎn)成本，以整版面形式(Panelform)制作。目前制作的整版面形式 的尺寸，其長(zhǎng)與寬分別為370㎜×470㎜，目標(biāo)發(fā)展為600㎜×700㎜。

然而，現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件1的制法中，目前現(xiàn)有切單機(jī)臺(tái)最大僅 能置放100㎜×240㎜，因而無(wú)法放置370㎜×470㎜或更大尺寸，所 以現(xiàn)階段需先以人工方式切割成適合尺寸，再放入現(xiàn)有切單機(jī)中，導(dǎo) 致難以提升產(chǎn)量。

此外，若要直接將370㎜×470㎜或更大尺寸的版面進(jìn)行切單制 程，需額外特制機(jī)臺(tái)，導(dǎo)致產(chǎn)品制作成本提高。

因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問(wèn)題，實(shí)已成目前亟欲解決 的課題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝件及 其制法，藉由支撐框的設(shè)計(jì)，以將整版面結(jié)構(gòu)分割成所需尺寸的封裝 區(qū)塊，而于后續(xù)可以現(xiàn)有機(jī)臺(tái)進(jìn)行切單制程，所以能省去機(jī)臺(tái)開發(fā)的 成本。

本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件，為整版面結(jié)構(gòu)，其包括：一支撐框，其 具有多個(gè)置放區(qū)；多個(gè)電子元件，其容置于各該置放區(qū)中，且單一該 置放區(qū)中設(shè)有多個(gè)個(gè)該電子元件；以及封裝材，其形成于該些置放區(qū) 中以包覆該些電子元件。

本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體封裝件，其為封裝區(qū)塊，其包括：一支 撐框，其僅具有一置放區(qū)；多個(gè)電子元件，其容置于該置放區(qū)中；以 及封裝材，其形成于該置放區(qū)中以包覆該些電子元件。

前述的兩種半導(dǎo)體封裝件中，還包括一承載體，其形成于該封裝 材上。

本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體封裝件的制法，其包括：提供一其上設(shè) 有一支撐框與多個(gè)電子元件的承載件，且該支撐框具有多個(gè)容置各該 電子元件的置放區(qū)，并于該承載件上形成有包覆該些電子元件與該支 撐框的封裝材；結(jié)合一承載體于該封裝材上；移除該承載件；以及沿 該些置放區(qū)進(jìn)行分離制程。

前述的制法中，還包括于進(jìn)行該分離制程后，移除該承載體。

前述的制法中，還包括于移除該承載件后，先移除該承載體，再 進(jìn)行該分離制程。

前述的制法中，還包括于進(jìn)行該分離制程后，進(jìn)行切單制程。

前述的兩種半導(dǎo)體封裝件及其制法中，該電子元件具有相對(duì)的主 動(dòng)面與非主動(dòng)面，且該電子元件以其主動(dòng)面結(jié)合于該承載件上。