[發明專利]監測介質層薄膜質量及填孔能力的測試結構

有效

• 申請號: 201410461513.2
• 申請日: 2014-09-11
• 公開（公告）號: CN104201172B
• 公開（公告）日: 2017-06-16
• 發明（設計）人: 韓坤;羅旖旎;龔斌
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅,李時云

1.一種監測介質層薄膜質量及填孔能力的測試結構，其特征在于，包括：淺槽隔離、通孔連線、多晶硅條、具有梳狀插指的第一測試端和第二測試端，其中，所述第一測試端和第二測試端的插指交錯排列，并由金屬介質層隔離開，所述多晶硅條與所述第一測試端和第二測試端的插指相垂直，并且由層間介質層隔離開，所述通孔連線形成在所述淺槽隔離上并與所述第一測試端和第二測試端的插指相連；還包括有源區，所述有源區由所述淺槽隔離進行隔離，并位于所述多晶硅條的下方。

2.如權利要求1所述的監測介質層薄膜質量及填孔能力的測試結構，其特征在于，所述多晶硅條與所述通孔連線之間的距離為芯片設計規則的最小距離。

3.如權利要求2所述的監測介質層薄膜質量及填孔能力的測試結構，其特征在于，所述多晶硅條的線寬為芯片設計規則的最小線寬。

4.如權利要求1所述的監測介質層薄膜質量及填孔能力的測試結構，其特征在于，所述通孔連線之間的距離為芯片設計規則的最小距離。