[發明專利]一種直流觸發型電源鉗位ESD保護電路在審
| 申請號: | 201410461041.0 | 申請日: | 2014-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN104347622A | 公開(公告)日: | 2015-02-11 |
| 發明(設計)人: | 王源;陸光易;曹健;賈嵩;張興 | 申請(專利權)人: | 北京大學 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 郝瑞剛 |
| 地址: | 100871*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 直流 觸發 電源 esd 保護 電路 | ||
技術領域
本發明涉及集成電路芯片靜電放電(Electronic?Static?Discharge,ESD)保護領域,尤其涉及一種直流觸發型電源鉗位ESD保護電路。
背景技術
半導體集成電路芯片的ESD保護設計一直是半導體業界關于可靠性設計的重點和難點。隨著半導體工藝的不斷進步,集成電路ESD設計的窗口不斷變窄,片上ESD保護變得越發困難。用作片上ESD保護的結構應該具有如下的特點:觸發電壓應高于芯片的正常操作電壓,同時低于芯片內部器件的失效電壓;維持電壓要高于芯片的正常工作電壓,同時,二次擊穿電流要盡可能的大,開啟電阻要盡可能的小。
電源鉗位ESD保護電路是放置于電源線與地線之間的ESD保護單元,其作用是在不同模式的ESD沖擊發生時,保證芯片電源線上不出現過壓的現象,以此避免內部器件因過壓而產生失效。常見的電源鉗位ESD保護電路用瞬態探測模塊來識別ESD事件,當探測到有ESD事件時,泄放晶體管迅速轉入開啟狀態,泄放靜電電荷,保證芯片內部器件的安全。瞬態探測機制的弊病在于:泄放晶體管容易被瞬態噪聲誤觸發,造成不必要的功率損耗。直流觸發型電源鉗位ESD保護電路探測的是電源線上電壓的幅值,當電壓幅值大到一定程度之后,觸發電路提供有效信號給泄放晶體管,用以泄放靜電電荷來確保內部器件的安全。
附圖1和附圖2所示為現有技術中的直流觸發型電源鉗位ESD保護電路,工作原理是:電阻和二極管串決定保護電路的直流觸發電壓,當電源線上的電壓超過此直流觸發電壓,泄放晶體管打開泄放靜電電荷,與此同時,反饋晶體管(Mfb)也被觸發。Mfb被觸發有兩個好處:一是確保泄放晶體管在ESD事件的整個期間內都保持在開啟狀態;二是確保泄放晶體管的關斷電壓比開啟電壓小,使得靜電電荷泄放更加完全。
在先進的集成電路工藝里,器件的失效電壓不斷減小,要實現有效的芯片ESD保護,電源鉗位ESD保護電路的觸發電壓也應該相應的減小。由此,附圖1和附圖2所示的電源鉗位ESD保護電路存在如下問題:附圖1所示的保護電路使用電阻加兩個二極管的探測方案,雖然能夠實現較小的觸發電壓,但是在正常偏置下的漏電很大;附圖2所示的保護電路使用的電阻加四個二極管的探測方案,能夠保證正常偏置時的漏電較小,但是不能滿足較小觸發電壓的需求。
因此,針對以上不足,需要提供一種直流觸發型電源鉗位ESD保護電路,使得保護電路在芯片正常工作時漏電很小;在ESD事件發生時,其觸發電壓和維持電壓能落在先進工藝下ESD防護窗口范圍內,形成有效的ESD保護,確保內部器件的安全。
發明內容
(一)要解決的技術問題
本發明要解決的技術問題是在保證正常偏置下漏電流小的前提下,實現在ESD事件發生時,觸發電壓和維持電壓落在先進工藝下ESD防護窗口范圍內。
(二)技術方案
為了解決上述技術問題,本發明提供了一種直流觸發型電源鉗位ESD保護電路,放置于芯片的電源線VDD和地線VSS之間,所述直流觸發型電源鉗位ESD保護電路包括
泄放晶體管Mbig,用于泄放靜電電荷;
直流電壓探測電路,連接于所述電源線VDD與所述地線VSS之間,并與所述泄放晶體管Mbig相連接;用于判別所述電源線VDD上的脈沖是否為靜電放電脈沖,若是,則發送相應信號給所述泄放晶體管Mbig;
其中,所述直流電壓探測電路包括電阻Rg,所述電阻Rg的一端與所述地線VSS相連,用于保證在芯片正常工作時,所述泄放晶體管Mbig的柵極有一個直流到地的通路,使所述泄放晶體管Mbig保持在關斷狀態。
優選地,所述泄放晶體管Mbig為NMOS晶體管,所述泄放晶體管Mbig的源極與所述地線VSS相連,所述泄放晶體管Mbig的漏極與所述電源線VDD相連,所述泄放晶體管Mbig的柵極與所述電阻Rg的另一端相連。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





