[發明專利]一種直流觸發型電源鉗位ESD保護電路在審
| 申請號: | 201410461041.0 | 申請日: | 2014-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN104347622A | 公開(公告)日: | 2015-02-11 |
| 發明(設計)人: | 王源;陸光易;曹健;賈嵩;張興 | 申請(專利權)人: | 北京大學 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 郝瑞剛 |
| 地址: | 100871*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 直流 觸發 電源 esd 保護 電路 | ||
1.一種直流觸發型電源鉗位ESD保護電路,放置于芯片的電源線VDD和地線VSS之間,其特征在于,所述直流觸發型電源鉗位ESD保護電路包括
泄放晶體管Mbig,用于泄放靜電電荷;
直流電壓探測電路,連接于所述電源線VDD與所述地線VSS之間,并與所述泄放晶體管Mbig相連接;用于判別所述電源線VDD上的脈沖是否為靜電放電脈沖,若是,則發送相應信號給所述泄放晶體管Mbig;
其中,所述直流電壓探測電路包括電阻Rg,所述電阻Rg的一端與所述地線VSS相連,用于保證在芯片正常工作時,所述泄放晶體管Mbig的柵極有一個直流到地的通路,使所述泄放晶體管Mbig保持在關斷狀態。
2.根據權利要求1所述的直流觸發型電源鉗位ESD保護電路,其特征在于,所述泄放晶體管Mbig為NMOS晶體管,所述泄放晶體管Mbig的源極與所述地線VSS相連,所述泄放晶體管Mbig的漏極與所述電源線VDD相連,所述泄放晶體管Mbig的柵極與所述電阻Rg的另一端相連。
3.根據權利要求2所述的直流觸發型電源鉗位ESD保護電路,其特征在于,所述探測電路還包括電阻R、多個依次正向串聯的二極管、反饋晶體管Mfb以及晶體管Mp1,其中,所述反饋晶體管Mfb為NMOS晶體管,所述晶體管Mp1為PMOS晶體管;所述電阻R的一端與所述晶體管Mp1的柵極相連,所述電阻R的另一端與所述電源線VDD相連;所述晶體管Mp1的漏極與所述泄放晶體管Mbig的柵極相連,所述晶體管Mp1的源極與所述電源線VDD相連;所述反饋晶體管Mfb的源極與所述地線VSS相連,所述反饋晶體管Mfb的漏極與所述晶體管Mp1的柵極相連,所述反饋晶體管Mfb的柵極與所述晶體管Mp1的漏極相連;多個依次正向串聯的所述二極管的陽極與所述晶體管Mp1的柵極相連,多個依次正向串聯的所述二極管的陰極與所述地線VSS相連。
4.根據權利要求3所述的直流觸發型電源鉗位ESD保護電路,其特征在于,多個依次正向串聯的所述二極管根據工藝的不同,個數為3-5個。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





