[發明專利]功率放大器

有效

• 申請號: 201410460758.3
• 申請日: 2014-09-11
• 公開（公告）號: CN104426489B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 渡邊晉太郎;彌政和宏
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03F3/20
• 分類號: H03F3/20;H03F1/26
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 何立波,張天舒

技術領域

本發明涉及一種功率放大器。

背景技術

在收發兩用機中使用的功率放大器中，存在如果向接收頻帶漏出的功率(power)增大，則使接收頻帶噪聲惡化的問題。因此，向接收頻帶漏出的功率量是隨標準而確定的。

作為使接收頻帶噪聲特性惡化的一個主要原因是差頻噪聲。差頻噪聲是發送頻率信號與接收頻率的差值頻率的噪聲。由于差頻噪聲與發送頻率信號混頻，因此，噪聲功率被放大，而使接收頻帶噪聲特性惡化。作為對這種差頻噪聲的對策，目前，例如，如日本特開2008-28635號公報所公開的那樣，已知一種功率放大器，其具有使差頻的阻抗降低的功能。

專利文獻1：日本特開2008－28635號公報

專利文獻2：日本特開平10－209769號公報

專利文獻3：日本特開平9－83268號公報

專利文獻4：日本特開2007－174442號公報

專利文獻5：日本特開2005－143079號公報

對于接收頻帶、發送頻帶的頻帶，存在根據通信標準確定的多個頻段，具體地說，為幾百MHz～一千幾百MHz左右。與此相對，差頻是接收頻帶頻率與發送頻帶頻率的差值，其頻率大多是幾十MHz左右。

如上述現有技術所示，使用下述技術，即，將用于去除差頻噪聲的濾波電路與功率放大器組合。在該濾波電路中使用共振電路的情況下，通過電感器和電容器確定的共振頻率的值與差頻相對應地確定為幾十MHz左右。該共振頻率與接收頻帶頻率相比，是減小了一個數量級左右的值。

為了將共振頻率設定為差頻附近的值，需要將電容值以及電感值設為一定程度的較大值。這種在一定程度上較大的電容值以及電感值遠比能夠在半導體基板上通過MIM電容器、螺旋電感實現的值大，現實中必須使用表面安裝部件。由于表面安裝部件成為必要結構，所以存在使功率放大器大型化的問題，因此，以往一直在謀求功率放大器的小型化。

發明內容

本發明就是為了解決上述課題而提出的，其目的在于提供一種能夠抑制差頻輸入噪聲的小型功率放大器。

第1發明所涉及的功率放大器，其特征在于，具有：

輸入端子；

放大晶體管，其形成于半導體基板，將來自所述輸入端子的信號放大而向輸出端子輸出；

偏壓電路，其向所述放大晶體管的信號輸入側供給偏壓；

濾波電路，其包含片式電感器以及片式電容器中的至少一方，將所述放大晶體管的信號輸入側的噪聲去除；以及

阻抗匹配電路，其具有匹配電阻，該匹配電阻形成于所述半導體基板，設置在所述輸入端子與所述放大晶體管的信號輸入側之間。

第2發明所涉及的功率放大器，其特征在于，具有：

輸入端子；

放大晶體管，其形成于半導體基板，將來自所述輸入端子的信號放大而向輸出端子輸出；

偏壓電路，其向所述放大晶體管的信號輸入側供給偏壓；

阻抗匹配電路，其由形成于所述半導體基板的電感器以及電容器構成，設置在所述輸入端子與所述放大晶體管的信號輸入側之間；以及

濾波電路，在該濾波電路中，片式電容器和形成于所述半導體基板的電阻串聯連接，該濾波電路的一端連接在所述偏壓電路和所述放大晶體管的信號輸入側之間，另一端與接地端連接。

發明的效果

根據本發明，提供能夠抑制差頻輸入噪聲的小型功率放大器。

附圖說明

圖1是表示本發明的實施方式1所涉及的功率放大器的圖。

圖2是表示本發明的實施方式1的變形例所涉及的功率放大器的圖。

圖3是表示本發明的實施方式2所涉及的功率放大器的圖。

圖4是表示本發明的實施方式3所涉及的功率放大器的圖。

圖5是表示本發明的實施方式4所涉及的功率放大器的圖。

標號的說明

1、2、101、201、301半導體基板，11放大晶體管，21偏壓電路，32匹配電阻，41、42MIM電容器，43片式電容器，52片式電感器，61、62、63濾波電路，MC1、MC2、MC3、MC4阻抗匹配電路，PA1、PA11、PA2、PA3、PA4功率放大器

具體實施方式

實施方式1