[發(fā)明專利]功率放大器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410460758.3 | 申請日: | 2014-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN104426489B | 公開(公告)日: | 2017-11-14 |
| 發(fā)明(設計)人: | 渡邊晉太郎;彌政和宏 | 申請(專利權)人: | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號: | H03F3/20 | 分類號: | H03F3/20;H03F1/26 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司11112 | 代理人: | 何立波,張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 功率放大器 | ||
1.一種功率放大器,其特征在于,具有:
輸入端子;
放大晶體管,其形成于半導體基板,將來自所述輸入端子的信號放大而向輸出端子輸出;
偏壓電路,其向所述放大晶體管的信號輸入側供給偏壓;
濾波電路,其包含片式電感器以及片式電容器中的至少一方,將所述放大晶體管的信號輸入側的噪聲去除;以及
阻抗匹配電路,其具有匹配電阻,該匹配電阻形成于所述半導體基板,設置在所述輸入端子與所述放大晶體管的信號輸入側之間,
所述阻抗匹配電路包含第1電容器和第2電容器,其中,
該第1電容器形成于所述半導體基板,一端與所述輸入端子連接,
該第2電容器形成于所述半導體基板,一端與所述第1電容器的另一端連接,另一端與所述放大晶體管的信號輸入側連接,
所述匹配電阻的一端連接在所述第1電容器和所述第2電容器之間,另一端連接在所述第2電容器和所述放大晶體管的信號輸入側之間,
所述匹配電阻包含第1電阻和第2電阻,其中,
該第1電阻的一端與所述第1電容器的另一端連接,
該第2電阻的一端與所述第1電阻的另一端連接,另一端與所述第2電容器的所述另一端連接,
所述偏壓電路與所述第1電阻和所述第2電阻的連接點連接,向所述連接點供給偏壓。
2.根據(jù)權利要求1所述的功率放大器,其特征在于,
所述濾波電路是串聯(lián)LC共振電路,在該濾波電路中,片式電感器和片式電容器進行串聯(lián)連接,該濾波電路的一端連接在所述第1電容器和所述匹配電阻之間,該濾波電路的另一端與接地端連接。
3.根據(jù)權利要求1所述的功率放大器,其特征在于,
所述濾波電路是包含片式電容器和片式電感器的LC共振電路,
該片式電容器的一端與所述輸入端子電連接,
該片式電感器的一端連接在所述輸入端子和所述片式電容器之間,另一端與接地端連接,
所述匹配電阻的一端與所述片式電容器的另一端連接,另一端與所述放大晶體管的信號輸入側連接。
4.根據(jù)權利要求1所述的功率放大器,其特征在于,
所述濾波電路包含:
電阻,其形成于所述半導體基板,一端連接在所述偏壓電路和所述放大晶體管的信號輸入側之間;以及
片式電容器,其一端與所述電阻連接,另一端與接地端連接。
5.根據(jù)權利要求1所述的功率放大器,其特征在于,
所述放大晶體管、所述偏壓電路以及所述阻抗匹配電路集成于所述半導體基板,
該功率放大器具有:
電路基板,在其表面安裝構成所述濾波電路的片式電感器以及片式電容器中的至少一方、和所述半導體基板;以及
封裝樹脂,其設置在所述電路基板的表面,以將所述片式電感器以及所述片式電容器中的至少一方、和所述半導體基板進行封裝。
6.根據(jù)權利要求1所述的功率放大器,其特征在于,
該功率放大器是通過所述放大晶體管將多個頻帶的輸入信號進行放大的多頻段功率放大器。
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