[發(fā)明專利]三合一手機通卡及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410460103.6 | 申請日： | 2014-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN104270480A | 公開（公告）日： | 2015-01-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蘇爾在 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣東楚天龍智能卡有限公司 |
| 主分類號： | H04M1/02 | 分類號： | H04M1/02 |
| 代理公司： | 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203 | 代理人： | 徐勛夫 |
| 地址： | 523000 廣東省東莞市鳳崗*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 合一 手機 及其 制作方法 | ||
1.一種三合一手機通卡，包括有卡架、標準SIM卡主體、Micro-SIM卡主體以及Nano-SIM卡；其特征在于：該卡架上設(shè)置有第一容置通槽和第二容置通槽；該標準SIM卡主體嵌于該第一容置通槽中并通過多個連接帶與卡架一體成型連接；該標準SIM卡主體上設(shè)置有與Micro-SIM卡主體相適配的第三容置通槽，該第三容置通槽的深度與Micro-SIM卡主體的厚度相同，該Micro-SIM卡主體通過無縫沖切成型并卡緊在第三容置通槽中，Micro-SIM卡主體的表面與標準SIM卡主體的表面平齊，且該Micro-SIM卡主體的表面上凹設(shè)有一與Nano-SIM卡相適配的凹位，該凹位的深度與Nano-SIM卡的厚度相同；該Nano-SIM卡通過無縫或有縫沖切成型在第二容置通槽中；當(dāng)Nano-SIM卡從第二容置通槽中取出并嵌入凹位中時，由Nano-SIM卡與Micro-SIM卡主體組合形成Micro-SIM卡，由Nano-SIM卡、Micro-SIM卡主體和標準SIM卡主體共同組合形成標準SIM卡。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三合一手機通卡，其特征在于：所述卡架的厚度與標準SIM卡主體的厚度相同，且該卡架的表面與標準SIM卡主體的表面平齊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三合一手機通卡，其特征在于：所述卡架為平板狀塑膠體，該標準SIM卡主體和連接帶通過沖切的方式成型在該平板狀塑膠體上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三合一手機通卡，其特征在于：所述卡架為標準卡尺寸，其橫向尺寸為85.47mm～85.72mm，其縱向尺寸為53.92mm～54.03mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三合一手機通卡，其特征在于：所述卡架為半卡尺寸，其橫向尺寸為42.735mm～42.86mm，其縱向尺寸為53.92mm～54.03mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三合一手機通卡，其特征在于：所述Nano-SIM卡的厚度為0.60mm～0.70mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三合一手機通卡，其特征在于：所述標準SIM卡主體和Micro-SIM卡主體的厚度均為0.68mm～0.84mm。
8.一種如權(quán)利要求1至7任一項所述的三合一手機通卡的制作方法，其特征在于：包括有以下步驟：
（1）洗薄：取一與卡架外形相同的塑膠卡片，在塑膠卡片的一個位置上進行洗薄作業(yè)形成前述凹位，在塑膠卡片的另一位置上進行洗薄作業(yè)形成一凹槽，凹槽的外形與Nano-SIM卡的外形相同；
（2）芯片封裝：將芯片通過熱熔的方式壓合封裝在凹槽的內(nèi)底面上；
（3）沖切：在凹位的外圍進行無縫沖切形成Micro-SIM卡主體，并在Micro-SIM卡主體的外圍沖切形成標準SIM卡主體，以及，對凹槽的周緣進行無縫或有縫沖切形成Nano-SIM卡；
（4）打碼：在Micro-SIM卡主體和Nano-SIM卡的背面同時打上激光碼。
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