[發明專利]一種遮蔽盤傳輸裝置及反應腔室

有效

• 申請號: 201410459629.2
• 申請日: 2014-09-10
• 公開（公告）號: CN105470181B
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 徐桂玲
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01J37/32;C23C16/44
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

本發明提供了一種遮蔽盤傳輸裝置及反應腔室，該遮蔽盤傳輸裝置包括遮蔽盤、用于承載遮蔽盤的傳送臂和電磁固定器，電磁固定器設置在傳送臂的承載遮蔽盤的對應位置處，遮蔽盤采用磁性材料制成，電磁固定器用于在其具有磁性時使位于傳送臂上的遮蔽盤被磁化，以實現將遮蔽盤固定在傳送臂上；以及在不具有磁性時使位于傳送臂上的遮蔽盤未被磁化，以實現傳送臂和遮蔽盤未固定。本發明提供的遮蔽盤傳輸裝置，可以解決在傳輸遮蔽盤的過程中存在遮蔽盤滑落風險的問題，從而可以提高傳輸的穩定性和可靠性。

技術領域

本發明屬于微電子加工技術領域，具體涉及一種遮蔽盤傳輸裝置及反應腔室。

背景技術

物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，以下簡稱PVD)設備是應用比較廣泛的等離子體加工設備，主要用于在基片的表面上沉積薄膜。到目前為止，PVD方法不僅可以沉積金屬薄膜，而且可以沉積合金薄膜、化合物薄膜、陶瓷薄膜、半導體薄膜等。

在實際應用中，通常在腔室暴露在大氣環境中或停用一段時間之后需要進行預燒靶材步驟，以去除靶材表面上的氧化物或者其他雜質，以及在完成預設數量的基片之后，需要對反應腔室的內表面及反應腔室內其他部件進行涂覆步驟，以防止工藝時沉積在反應腔室的內表面上的材料層脫落。為了防止在上述預燒靶材步驟和涂覆步驟過程中污染承載基片的承載裝置的表面，通常采用遮蔽盤對該承載裝置的表面進行遮擋。圖1為現有的具有遮蔽盤的反應腔室的結構示意圖。請參閱圖1，反應腔室10包括可升降的承載裝置11、可升降的至少三個頂針13、用于放置遮蔽盤15的車庫16和遮蔽盤傳輸裝置。其中，承載裝置11設置在反應腔室10內，用于承載基片或遮蔽盤15，每個頂針13自承載裝置11的下表面貫穿至承載裝置11的上表面，并可在承載裝置11內升降。請參閱圖2和圖3，遮蔽盤傳輸裝置包括用于承載遮蔽盤15的傳送臂17和驅動單元18，驅動單元18用于驅動傳送臂17在車庫16和承載裝置11上方傳輸遮蔽盤15，并且，在傳送臂17與遮蔽盤15相接觸的表面上對應遮蔽盤的中心位置分別設置有第一定位凸起171和與之匹配的定位凹部(圖中未示出)，第一定位凸起171位于與之對應的定位凹部內，以使遮蔽盤15相對傳送臂17的位置準確，另外，在傳送臂17與遮蔽盤15相接觸的表面上還設置有第二定位凸起172和與之對應的定位凹部，這可避免遮蔽盤15發生水平轉動，以實現對遮蔽盤15定位。

下面結合圖4詳細地介紹該反應腔室的工作過程，具體地，包括以下步驟：步驟S1，當進行上述預燒靶材或涂覆步驟時，驅動單元18驅動承載有遮蔽盤15的傳送臂17位于承載裝置11的正上方；步驟S2，頂針13上升，將位于傳送臂17上的遮蔽盤15頂起；步驟S3，驅動單元18驅動空載的傳送臂17至車庫16；步驟S4，承載裝置11上升，以使承載裝置11將位于頂針上的遮蔽盤15托起；步驟S5，進行上述預燒靶材或涂覆步驟；步驟S6，在上述預燒靶材或涂覆步驟完成之后，承載裝置11下降，使得頂針13將位于承載裝置11上表面的遮蔽盤15頂起；步驟S7，驅動單元18驅動空載的傳送臂17位于遮蔽盤15下方且位于承載裝置11上表面上方的位置；步驟S8，頂針13下降，使得遮蔽盤15位于該傳送臂17上；步驟S9，驅動單元18驅動承載有遮蔽盤15的傳送臂17至車庫16。

然而，采用上述的反應腔室在實際應用中不可避免的會存在以下技術問題：由于在傳送臂17傳輸遮蔽盤15的過程中遮蔽盤15僅擱置在傳送臂17的上表面上而并未與傳送臂17固定，因此，傳送臂17容易受到其他因素的影響在傳輸過程中造成遮蔽盤15滑落。為此，第一定位凸起171和第二定位凸起172高度以及與之對應的定位凹部的深度設置較大來避免遮蔽盤15滑落，但是這樣必然會增加頂針13的長度，或其運動距離。前者會造成傳輸的可靠性差，后者因為受到其他結構(如承載裝置11)的限制往往不能設置較大。

因此，現在急需一種可靠性高的可避免在傳輸過程中造成遮蔽盤15滑落的遮蔽盤傳輸裝置。

發明內容