[發明專利]一種遮蔽盤傳輸裝置及反應腔室有效
| 申請號: | 201410459629.2 | 申請日: | 2014-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN105470181B | 公開(公告)日: | 2019-02-19 |
| 發明(設計)人: | 徐桂玲 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01J37/32;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 遮蔽 傳輸 裝置 反應 | ||
1.一種遮蔽盤傳輸裝置,包括遮蔽盤和用于承載所述遮蔽盤的傳送臂,其特征在于,還包括電磁固定器,所述電磁固定器設置在所述傳送臂的承載所述遮蔽盤的對應位置處,所述遮蔽盤采用磁性材料制成,所述電磁固定器用于在其具有磁性時使位于所述傳送臂上的所述遮蔽盤被磁化,以實現將所述遮蔽盤固定在所述傳送臂上;以及在其不具有磁性時使位于所述傳送臂上的所述遮蔽盤未被磁化,以實現所述傳送臂和所述遮蔽盤未固定。
2.根據權利要求1所述的遮蔽盤傳輸裝置,其特征在于,在所述傳送臂的上表面上設置有安裝孔,所述安裝孔由所述傳送臂的上表面向所述傳送臂的下表面延伸,所述電磁固定器設置在所述安裝孔內,并且,所述電磁固定器的上表面不高于所述傳送臂的上表面。
3.根據權利要求2所述的遮蔽盤傳輸裝置,其特征在于,所述電磁固定器的上表面與所述傳送臂的上表面位于同一水平面上。
4.根據權利要求2或3所述的遮蔽盤傳輸裝置,其特征在于,在所述傳送臂內部設置有導線通道,或者,在所述傳送臂的下表面上還設置有導線槽,所述導線通道或者導線槽用于容納實現所述電磁固定器與電源電連接的導線。
5.根據權利要求1所述的遮蔽盤傳輸裝置,其特征在于,所述電磁固定器包括電磁鐵。
6.根據權利要求5所述的遮蔽盤傳輸裝置,其特征在于,所述電磁鐵包括通電電磁鐵或失電電磁鐵。
7.根據權利要求5所述的遮蔽盤傳輸裝置,其特征在于,所述電磁鐵包括吸盤式電磁鐵或圓管式電磁鐵。
8.根據權利要求1所述的遮蔽盤傳輸裝置,其特征在于,在所述傳送臂和所述遮蔽盤相接觸的表面上分別設置有定位凸起和定位凹部,所述定位凸起和所述定位凹部對應所述遮蔽盤的中心位置進行設置;所述定位凸起位于所述定位凹部內,以使所述遮蔽盤的下表面疊置在所述傳送臂的上表面上。
9.根據權利要求1所述的遮蔽盤傳輸裝置,其特征在于,所述遮蔽盤采用馬氏體、鐵素體不銹鋼、鎳或者鈷材料制成。
10.一種反應腔室,在所述反應腔室內設置有遮蔽盤傳輸裝置,用于傳輸遮蔽盤,其特征在于,所述遮蔽盤傳輸裝置采用權利要求1-9任意一項所述的遮蔽盤傳輸裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





