[發(fā)明專利]一種FinFET結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410459357.6
• 申請日: 2014-09-10
• 公開（公告）號: CN105470253B
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 尹海洲;劉云飛;李睿
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/336
• 代理公司: 北京漢昊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11370
• 代理人: 朱海波

1.一種U型FinFET器件結(jié)構(gòu)，包括：

襯底(100)；

第一鰭片(210)和第二鰭片(220)，所述第一鰭片(210)和第二鰭片(220)位于所述襯底(100)上方，彼此平行；

柵極疊層(300)，所述柵極疊層覆蓋所述襯底和部分第一鰭片(210)和第二鰭片(220)的側(cè)壁；

源區(qū)(410)，所述源區(qū)位于所述第一鰭片(210)未被柵極疊層所覆蓋的區(qū)域；

漏區(qū)(420)，所述漏區(qū)位于所述第二鰭片(220)未被柵極疊層所覆蓋的區(qū)域；

側(cè)墻(230)，所述側(cè)墻(230)位于所述第一鰭片(210)和第二鰭片(220)兩側(cè)，柵極疊層(300)上方，用于隔離源區(qū)、漏區(qū)和柵極疊層；

襯底溝道區(qū)(150)，所述襯底溝道區(qū)(150)位于所述襯底(100)中靠近上表面的區(qū)域中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FinFET器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一鰭片(210)和第二鰭片(220)具有相同的高度、厚度和寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FinFET器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一鰭片(210)和第二鰭片(220)之間的距離為5～50nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FinFET器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極疊層(300)的高度為所述第一、第二鰭片(210、220)高度的1/2～3/4。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FinFET器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底溝道區(qū)(150)的摻雜類型和摻雜濃度與源漏區(qū)相同。

6.一種U型FinFET器件制造方法，包括：

a.提供襯底(100)，在所述襯底表面形成溝道摻雜區(qū)(150)；

b.在所述襯底(100)上形成第一鰭片(210)和第二鰭片(220)；

c.在所述襯底(100)、所述第一鰭片(210)和第二鰭片(220)上方形成柵極疊層：

d.去除所述第一鰭片(210)和第二鰭片(220)上方和部分側(cè)壁的柵極疊層，露出的部分第一和第二鰭片形成源漏區(qū)；

e.在未被所述柵極疊層覆蓋的第一鰭片(210)和第二鰭片(220)兩側(cè)形成側(cè)墻(230)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述溝道摻雜區(qū)(150)的摻雜類型和摻雜濃度與源漏區(qū)相同。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，在步驟b中，形成所述第一鰭片(210)和第二鰭片(220)的方法包括如下步驟：

b1)在所述襯底(100)上依次形成溝道材料層(110)和源漏材料層(120)；

b2)對所述溝道材料層(110)和源漏材料層(120)進(jìn)行刻蝕，形成第一鰭片(210)和第二鰭片(220)。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，形成所述第一鰭片(210)和第二鰭片(220)的方法為各向異性刻蝕。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一鰭片(210)和第二鰭片(220)具有相同的高度、厚度和寬度。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一鰭片(210)和第二鰭片(220)之間的距離為5～50nm。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述柵極疊層(300)的高度為所述第一、第二鰭片(210、220)高度的1/2～3/4。

13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，形成所述柵極疊層的方法為原子層淀積。

14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，去除部分柵極疊層的方法為各向異性選擇性刻蝕。