[發(fā)明專利]高密度IO互連PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)及其制造工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410453946.3
• 申請(qǐng)日: 2014-09-05
• 公開（公告）號(hào): CN104332457A
• 公開（公告）日: 2015-02-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林挺宇;孫鵬;何洪文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/538
• 分類號(hào): H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;劉海

1.一種高密度IO互連PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，包括上封裝體（1a）和下封裝體（7），其特征是：所述下封裝體（7）包括具有內(nèi)部連線結(jié)構(gòu)的下封裝體基板（1），在下封裝體基板（1）的背面設(shè)置背面焊球（6），在下封裝體基板（1）正面固定芯片（4）和多個(gè)正面焊球（2），正面焊球（2）上設(shè)置銅柱（3），芯片（4）、正面焊球（2）和銅柱（3）被塑封于塑封材料（5）中，銅柱（3）的下端與正面焊球（2）固定，銅柱（3）的上端凸出于塑封材料（5）的表面；所述上封裝體（1a）背面的焊球（2a）與下封裝體（7）中的銅柱（3）上表面連接。

2.如權(quán)利要求1所述的高密度IO互連PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征是：所述銅柱（3）的外圓周面包裹一層塑膠層（3-1），銅柱（3）的上下表面為裸露表面。

3.如權(quán)利要求1所述的高密度IO互連PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征是：所述銅柱（3）的高度大于芯片（4）的高度。

4.如權(quán)利要求2所述的高密度IO互連PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征是：所述的塑膠層（3-1）的厚度為10～20μm。

5.一種高密度IO互連PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)的制造工藝，其特征是，包括以下步驟：

（1）在做好內(nèi)部連線結(jié)構(gòu)的下封裝體基板（1）的上表面涂覆焊錫膏，得到多個(gè)正面焊球（2）；

（2）將銅柱（3）放置于對(duì)應(yīng)的正面焊球（2）處，并將銅柱（3）的一端與正面焊球（2）焊接固定；

（3）在下封裝體基板（1）上表面安裝芯片（4）；

（4）采用塑封材料（5）將正面焊球（2）、銅柱（3）和芯片（4）塑封成一整體；

（5）對(duì)塑封材料（5）的上表面進(jìn)行拋光，以露出銅柱（3）的上表面，使銅柱（3）的上端凸出于塑封材料（5）的上表面；

（6）在下封裝體基板（1）下表面進(jìn)行植球，得到背面焊球（6），完成下封裝體（7）的制作；

（7）將步驟（6）得到的下封裝體（7）與上封裝體（1a）進(jìn)行堆疊，上封裝體（1a）背面的焊球（2a）與下封裝體（7）中的銅柱（3）上表面連接。

6.如權(quán)利要求5所述的高密度IO互連PoP堆疊封裝結(jié)構(gòu)的制造工藝，其特征是：所述銅柱（3）凸出于塑封材料（5）上表面的高度為10～20μm。