[發明專利]有機發光二極管顯示裝置及其制作方法有效
| 申請號: | 201410453471.8 | 申請日: | 2014-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN104241330B | 公開(公告)日: | 2017-05-03 |
| 發明(設計)人: | 張金中 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示裝置 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管)顯示裝置及其制作方法。
背景技術
隨著顯示技術的不斷發展,OLED顯示裝置以其體積輕薄、對比度高、色域高、功耗低、可以實現柔性顯示等優點,已經成為下一代顯示裝置的主流發展趨勢。
OLED顯示裝置中的AMOLED(Active Matrix Organic Light Emission Display,有源矩陣有機發光二極管顯示裝置)響應速度快,且可滿足各種尺寸顯示裝置的需求,因此備受很多企業關注。AMOLED顯示裝置通常包括陣列基板和發光器件,其中發光器件主要采用精細金屬掩膜的方式實現,該實現方式已經日趨成熟,使AMOLED實現量產。
采用上述方式實現AMOLED的過程中,發光器件是通過蒸鍍方式將OLED材料按照預定程序蒸鍍到低溫多晶硅背板上,再利用精細金屬掩膜上的圖形進行構圖工藝形成的。如圖1所示,AMOLED顯示裝置的結構一般包括:陣列基板101、陽極102、空穴注入層103、空穴傳輸層104、發光層105、電子傳輸層106、電子注入層107和陰極108。
以上述發光器件為頂出光型為例,其發光時發光層發出的光線將分別向上和向下發射,向上發射的光線需要經過電子傳輸層、電子注入層和陰極傳輸出去,向下發射的光線需要經過空穴傳輸層和空穴注入層,傳輸到陽極,再被陽極反射為向上發射,反射后光線又要經過空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極才能傳輸出去。整個發光過程中,由于光線在上述各個膜層傳輸時會因光波導效應被部分吸收和散射,光線由發光層傳輸到發光器件外所需穿過的膜層較多,因此會造成發光器件發出的光線的損失量較大,發光器件的外量子效率較低,進而導致AMOLED的出光效率較低。
發明內容
本發明提供了一種OLED顯示裝置及其制作方法,以提高發光器件的外量子效率,進而提高OLED顯示裝置的出光效率。
為達到上述目的,本發明采用如下技術方案:
一種有機發光二極管顯示裝置,具有多個像素開口區域,包括:陣列基板及位于所述陣列基板上且位于每個所述像素開口區域內的發光器件,所述發光器件包括:空穴傳輸層、發光層和電子傳輸層;其中,所述發光層完全覆蓋一個所述像素開口區域;所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層分別位于所述發光層的兩側,或者所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層位于所述發光層的同一側;所述空穴傳輸層在所述發光層上的垂直投影和所述電子傳輸層在所述發光層上的垂直投影均部分覆蓋一個所述像素開口區域,且所述空穴傳輸層在所述發光層上的垂直投影與所述電子傳輸層在所述發光層上的垂直投影相互錯開。
優選的,所述發光器件還包括:位于所述空穴傳輸層背離所述發光層一側的空穴注入層,及位于所述電子傳輸層背離所述發光層一側的電子注入層,所述空穴注入層與所述空穴傳輸層完全重疊,所述電子注入層與所述電子傳輸層完全重疊。
優選的,所述發光器件還包括:位于所述空穴注入層背離所述發光層一側的陽極,及位于所述電子注入層背離所述發光層一側的陰極。
優選的,當所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層位于所述發光層的同一側時,所述陽極與所述空穴傳輸層完全重疊,所述陰極與所述電子傳輸層完全重疊。
優選的,當所述空穴傳輸層位于所述發光層朝向所述陣列基板的一側,且所述電子傳輸層位于所述發光層背離所述陣列基板的一側時,所述陽極與所述發光層或所述空穴注入層完全重疊,所述陰極與所述電子注入層完全重疊。
優選的,當所述空穴傳輸層位于所述發光層背離所述陣列基板的一側,且所述電子傳輸層位于所述發光層朝向所述陣列基板的一側時,所述陽極與所述空穴注入層完全重疊,所述陰極與所述電子注入層或所述發光層完全重疊。
優選的,所述發光器件還包括:位于所述空穴傳輸層與所述發光層之間的電子阻擋層,及位于所述電子傳輸層與所述發光層之間的空穴阻擋層。
優選的,所述發光器件還包括:覆蓋在所述發光器件上的保護層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





