[發明專利]有機發光二極管顯示裝置及其制作方法有效
| 申請號: | 201410453471.8 | 申請日: | 2014-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN104241330B | 公開(公告)日: | 2017-05-03 |
| 發明(設計)人: | 張金中 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示裝置 及其 制作方法 | ||
1.一種有機發光二極管顯示裝置,具有多個像素開口區域,包括:陣列基板及位于所述陣列基板上且位于每個所述像素開口區域內的發光器件,其特征在于,所述發光器件包括:空穴傳輸層、發光層和電子傳輸層;其中,
所述發光層完全覆蓋一個所述像素開口區域;
所述空穴傳輸層位于所述發光層背離或朝向所述陣列基板的一側;所述電子傳輸層位于所述發光層背離或朝向所述陣列基板的一側;所述空穴傳輸層在所述發光層上的垂直投影和所述電子傳輸層在所述發光層上的垂直投影均部分覆蓋一個所述像素開口區域,且所述空穴傳輸層在所述發光層上的垂直投影與所述電子傳輸層在所述發光層上的垂直投影相互錯開。
2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置,其特征在于,所述發光器件還包括:位于所述空穴傳輸層背離所述發光層一側的空穴注入層,及位于所述電子傳輸層背離所述發光層一側的電子注入層,所述空穴注入層在所述發光層上的垂直投影與所述空穴傳輸層在所述發光層上的垂直投影完全重疊,所述電子注入層在所述發光層上的垂直投影與所述電子傳輸層在所述發光層上的垂直投影完全重疊。
3.根據權利要求2所述的有機發光二極管顯示裝置,其特征在于,所述發光器件還包括:位于所述空穴注入層背離所述發光層一側的陽極,及位于所述電子注入層背離所述發光層一側的陰極。
4.根據權利要求3所述的有機發光二極管顯示裝置,其特征在于,當所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層位于所述發光層的同一側時,所述陽極在所述發光層上的垂直投影與所述空穴傳輸層在所述發光層上的垂直投影完全重疊,所述陰極在所述發光層上的垂直投影與所述電子傳輸層在所述發光層上的垂直投影完全重疊。
5.根據權利要求3所述的有機發光二極管顯示裝置,其特征在于,當所述空穴傳輸層位于所述發光層朝向所述陣列基板的一側,且所述電子傳輸層位于所述發光層背離所述陣列基板的一側時,所述陽極在所述發光層上的垂直投影與所述發光層或所述空穴注入層在所述發光層上的垂直投影完全重疊,所述陰極在所述發光層上的垂直投影與所述電子注入層在所述發光層上的垂直投影完全重疊。
6.根據權利要求3所述的有機發光二極管顯示裝置,其特征在于,當所述空穴傳輸層位于所述發光層背離所述陣列基板的一側,且所述電子傳輸層位于所述發光層朝向所述陣列基板的一側時,所述陽極在所述發光層上的垂直投影與所述空穴注入層在所述發光層上的垂直投影完全重疊,所述陰極在所述發光層上的垂直投影與所述電子注入層在所述發光層上的垂直投影或所述發光層完全重疊。
7.根據權利要求1~6任一項所述的有機發光二極管顯示裝置,其特征在于,所述發光器件還包括:位于所述空穴傳輸層與所述發光層之間的電子阻擋層,及位于所述電子傳輸層與所述發光層之間的空穴阻擋層。
8.根據權利要求7所述的有機發光二極管顯示裝置,其特征在于,還包括:覆蓋在所述發光器件上的保護層。
9.一種有機發光二極管顯示裝置的制作方法,包括:形成陣列基板,所述陣列基板包括多個像素開口區域;在所述陣列基板上的每個像素開口區域內形成發光器件,其特征在于,所述制作方法用于制作權利要求1~8任一項所述的有機發光二極管顯示裝置,所述形成發光器件包括形成空穴傳輸層、發光層和電子傳輸層;其中,
所述發光層完全覆蓋一個所述像素開口區域;
所述空穴傳輸層位于所述發光層背離或朝向所述陣列基板的一側;所述電子傳輸層位于所述發光層背離或朝向所述陣列基板的一側;所述空穴傳輸層在所述發光層上的垂直投影和所述電子傳輸層在所述發光層上的垂直投影均部分覆蓋一個所述像素開口區域,且所述空穴傳輸層在所述發光層上的垂直投影與所述電子傳輸層在所述發光層上的垂直投影相互錯開。
10.根據權利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述空穴傳輸層、所述發光層和所述電子傳輸層采用精細金屬掩膜在所述陣列基板上蒸鍍形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





