[發明專利]一種半導體器件及其制備方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201410453194.0
• 申請日: 2014-09-05
• 公開（公告）號: CN105460883B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 鄭超;許繼輝;王偉
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 高偉,馮永貞

1.一種半導體器件的制備方法，包括：

步驟S1：提供第一基底，在所述第一基底上形成有元器件和位于所述元器件上方的金屬互聯結構，所述金屬互聯結構嵌于介電層中；在所述介電層上依次形成有第二基底和第一隔離層；

步驟S2：圖案化所述第一隔離層、所述第二基底和所述介電層，以形成開口，露出所述金屬互聯結構；

步驟S3：沉積第二隔離層，以部分填充所述開口并覆蓋所述第一隔離層；

步驟S4：去除所述第一隔離層上的部分所述第二隔離層，以減小所述第二隔離層的厚度，降低所述第二隔離層的應力，以避免所述第二隔離層發生碎裂或者脫落。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，去除部分所述第二隔離層，以使所述第二隔離層的厚度小于6K埃。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S3中，沉積的所述第二隔離層的厚度為8-12K埃。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，所述第一隔離層的厚度為8-12K埃。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二隔離層選用硬脂酸四乙氧基硅烷。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中選用化學機械平坦化的方法去除部分所述第二隔離層。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4之后，所述方法還進一步包括：

步驟S5：執行退火步驟，以致密化所述第二隔離層；

步驟S6：去除所述開口底部和所述第一隔離層上方的所述第二隔離層，以露出所述金屬互聯結構和所述第一隔離層；

步驟S7：沉積導電材料層，以填充所述開口并覆蓋所述第一隔離層；

步驟S8：平坦化所述導電材料層至所述第一隔離層，以形成通孔。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步驟S6中去除所述第二隔離層的同時，去除部分所述第一隔離層，以使所述第一隔離層的厚度為3.5-5.5K埃。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步驟S7中所述導電材料層選用金屬鎢。

10.一種基于權利要求1至9之一所述的方法制備得到的半導體器件。

11.一種電子裝置，包括權利要求10所述的半導體器件。