[發明專利]發光裝置及其制作方法有效
| 申請號: | 201410450431.8 | 申請日: | 2012-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN104347818B | 公開(公告)日: | 2017-06-16 |
| 發明(設計)人: | 楊朝舜;胡晟民 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人: | 梁揮,祁建國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 及其 制作方法 | ||
本申請為分案申請,其母案的申請號為:201210066810.8,申請日為:2012年3月13日,申請人為:友達光電股份有限公司,發明名稱為:發光裝置及其制作方法
技術領域
本發明是有關于一種裝置及其制作方法,且特別是有關于一種發光裝置及其制作方法。
背景技術
由于有機電激發光裝置(organic electro-luminescence light-emitting device)具有自發光、高亮度、高對比、廣視角以及反應速度快等優點,因此有機電激發光顯示面板(organic electro-luminescence display panel)在顯示器方面的應用一直是產業關注的焦點之一。一般的有機電激發光顯示面板可區分為頂部發光型態(top emission)有機電激發光顯示面板以及底部發光型態(bottom emission)有機電激發光顯示面板兩大類。
頂部發光型態有機電激發光顯示面板通常使用諸如銀等具有高反射率的金屬來作為陽極,以增加電激發光強度。由于銀的功函數過低,因此通常需搭配諸如銦錫氧化物等具有高功函數的金屬氧化物,形成諸如具有銦錫氧化物/銀/銦錫氧化物的堆疊結構的陽極,以與有機電激發光裝置中的電洞注入層匹配。換言之,在陽極制作中,必須分別蝕刻銦錫氧化物層、銀層以及銦錫氧化物層,以完成陽極的圖案化。值得注意的是,在完成陽極的蝕刻制作后,銀層的側壁會裸露出來,而易于與后續制作中的去光阻劑反應而腐蝕。特別是,去光阻劑中的硫化物會與銀發生硫化反應,導致陽極邊緣形成黑色的硫化銀,且此硫化反應會持續進行,造成陽極的進一步惡化。
發明內容
本發明所要解決的一技術問題在于:提供一種發光裝置,其具有良好的元件特性。
本發明所要解決的另一技術問題是:提供一種發光裝置的制作方法,其于電極的側壁形成保護層以避免電極暴露,使發光裝置具有較佳的元件特性。
本發明提出一種發光裝置,其包括基板、第一電極、保護層、第二電極以及發光層。第一電極配置于基板上,包括第一圖案化導體層,第一圖案化導體層包括含第一金屬與第二金屬的合金。保護層至少配置于第一電極的側表面上,包括第二金屬的化合物,其中第二金屬的化合物的功函數為4.8eV(電子伏特)至5.5eV。第二電極配置于第一電極上。發光層配置于第一電極與第二電極之間。
本發明另提出一種發光裝置的制作方法。于基板上形成第一電極,第一電極包括第一圖案化導體層,第一圖案化導體層包括含第一金屬與第二金屬的合金。對第一電極進行退火加工,以至少于第一電極的側表面上形成保護層,其中保護層包括第二金屬的化合物。于第一電極上形成發光層。于發光層上形成第二電極。
本發明的有益功效在于:基于上述,在本發明的一實施例的發光裝置中,由于電極具有適當的功函數,因此發光裝置具有較佳的元件特性與發光強度。在本發明的另一實施例的發光裝置及其制作方法中,由于電極的側表面形成有保護層,因此能避免電極因暴露而受破壞,使得發光裝置具有較佳的元件特性。
以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細描述,但不作為對本發明的限定。
附圖說明
圖1是根據本發明一實施例的發光裝置的剖面示意圖;
圖2A至圖2E是根據本發明一實施例的發光裝置的制作方法的流程剖面示意圖;
圖3A至圖3D是根據本發明一實施例的發光裝置的制作方法的流程剖面示意圖。
其中,附圖標記
100、200、200a:發光裝置
102、202:基板
110、130、210a、240:電極
120、230:發光層
210:電極材料層
212、214、216:導體層
212a、214a、216a:圖案化導體層
213:側表面
215:頂表面
220:保護層
222:電洞傳輸層
AP:退火加工
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例對本發明技術方案進行詳細的描述,以更進一步了解本發明的目的、方案及功效,但并非作為本發明所附權利要求保護范圍的限制。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





