[發(fā)明專利]一種通孔底部阻擋層的刻蝕方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410449745.6 | 申請日： | 2014-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN105428306B | 公開（公告）日： | 2018-11-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周娜;張宇;蔣中偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址： | 100176 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 底部 阻擋 刻蝕 方法 | ||
1.一種通孔底部阻擋層的刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：
向反應(yīng)腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并開啟上電極電源和下電極電源，以去除基片上位于通孔底部的阻擋層；
其中，所述刻蝕氣體包括氧氣和含氟類氣體，且所述氧氣的氣流量大于所述含氟類氣體的氣流量；同時，所述反應(yīng)腔室的腔室壓力、所述下電極電源的下電極功率和基片溫度設(shè)置為：所述腔室壓力的范圍在8～20Mt，所述基片溫度的范圍在-20～10℃，所述下電極功率的范圍在10～100W，以避免在基片表面上產(chǎn)生裂縫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通孔底部阻擋層的刻蝕方法，其特征在于，所述腔室壓力的范圍在8～15mT。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通孔底部阻擋層的刻蝕方法，其特征在于，所述含氟類氣體的氣流量占總氣流量的范圍在10～30％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通孔底部阻擋層的刻蝕方法，其特征在于，所述氧氣的氣流量的范圍在50～300sccm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的通孔底部阻擋層的刻蝕方法，其特征在于，所述氧氣的氣流量的范圍在80～150sccm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通孔底部阻擋層的刻蝕方法，其特征在于，所述基片溫度的范圍在-20～-10℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通孔底部阻擋層的刻蝕方法，其特征在于，所述下電極功率的范圍在30～50W。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司，未經(jīng)北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410449745.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
