[發(fā)明專利]一種通孔底部阻擋層的刻蝕方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410449745.6 | 申請日： | 2014-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN105428306B | 公開（公告）日： | 2018-11-06 |
| 發(fā)明（設計）人： | 周娜;張宇;蔣中偉 | 申請（專利權）人： | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址： | 100176 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 底部 阻擋 刻蝕 方法 | ||
1.一種通孔底部阻擋層的刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：
向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并開啟上電極電源和下電極電源，以去除基片上位于通孔底部的阻擋層；
其中，所述刻蝕氣體包括氧氣和含氟類氣體，且所述氧氣的氣流量大于所述含氟類氣體的氣流量；同時，所述反應腔室的腔室壓力、所述下電極電源的下電極功率和基片溫度設置為：所述腔室壓力的范圍在8～20Mt，所述基片溫度的范圍在-20～10℃，所述下電極功率的范圍在10～100W，以避免在基片表面上產(chǎn)生裂縫。
2.根據(jù)權利要求1所述的通孔底部阻擋層的刻蝕方法，其特征在于，所述腔室壓力的范圍在8～15mT。
3.根據(jù)權利要求1所述的通孔底部阻擋層的刻蝕方法，其特征在于，所述含氟類氣體的氣流量占總氣流量的范圍在10～30％。
4.根據(jù)權利要求1所述的通孔底部阻擋層的刻蝕方法，其特征在于，所述氧氣的氣流量的范圍在50～300sccm。
5.根據(jù)權利要求4所述的通孔底部阻擋層的刻蝕方法，其特征在于，所述氧氣的氣流量的范圍在80～150sccm。
6.根據(jù)權利要求1所述的通孔底部阻擋層的刻蝕方法，其特征在于，所述基片溫度的范圍在-20～-10℃。
7.根據(jù)權利要求1所述的通孔底部阻擋層的刻蝕方法，其特征在于，所述下電極功率的范圍在30～50W。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
