[發(fā)明專利]一種優(yōu)化晶體硅太陽能電池PN結的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410449740.3 | 申請日: | 2014-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN104183672A | 公開(公告)日: | 2014-12-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 徐華浦;蔣方丹;金浩;陳康平 | 申請(專利權)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100 | 代理人: | 吳關炳 |
| 地址: | 314416 浙江省嘉*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 優(yōu)化 晶體 太陽能電池 pn 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種晶體硅太陽能電池的制備方法,具體涉及一種優(yōu)化晶體硅太陽能電池PN結的方法。
背景技術
太陽能電池是利用半導體的光生伏特效應制成的一種光電器件,而擴散制作PN結是晶體硅太陽能電池的核心,對于晶體硅太陽能電池而言,其PN結特性決定了太陽能電池的性能。傳統(tǒng)工藝對太陽能電池表面均勻摻雜,而且為了減少接觸電阻、提高電池帶負載能力,表面摻雜濃度較高。但研究發(fā)現(xiàn)表面雜質濃度過高導致擴散區(qū)能帶收縮、晶格畸變、缺陷增加、“死層”明顯、電池短波響應差。為了保證高效率的前提下提高產能,目前產業(yè)化制作PN結都是采用閉管擴散技術:通過高溫下爐門密封裝置、尾氣收集裝置、超長恒溫區(qū)加熱爐體設計以及溫度的測量與控制技術,采用氮氣攜帶三氯氧磷管式高溫擴散。其特點是產量大、工藝成熟操作簡單。但是高溫管式擴散會帶來很多問題,由于采用高溫擴散,磷原子在硅片體內(P型襯底,制作N+P型晶體硅太陽能電池)的固溶度較大,而且導致其表面濃度較高,而且氣體在管式擴散爐中的不穩(wěn)定性,對其擴散方阻均勻性也有影響。
發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種優(yōu)化晶體硅太陽能電池PN結的方法,降低其表面濃度和結深,達到優(yōu)化太陽能電池PN結的目的,改善電池的光譜響應和表面復合,提高電池效率。
本發(fā)明解決技術問題所采用的技術方案是:一種優(yōu)化晶體硅太陽能電池PN結的方法,其特征在于,具體步驟如下:
(1)擴散:用于晶體硅太陽能電池制造的單晶或多晶硅片,在對硅片進行表面去損傷和制絨,采用管式擴散爐進行擴散,其方阻控制為60~80Ω/□;
(2)酸溶液對PN結腐蝕:將擴散后的硅片置于化學清洗機臺中,采用酸性腐蝕液對硅片進行腐蝕,所述的酸性腐蝕液為HNO3、HF和DI水的混合溶液,所述HNO3∶HF∶DI水的體積比為10∶1∶100,?反應時間為20~60s;
(3)PN結堿溶液處理:?由于酸性腐蝕液對硅片進行酸性腐蝕時,表面會產生薄多孔硅層,因此需將酸洗后的硅片置于化學清洗機臺中,采用KOH和DI水的混合溶液對其清洗,所述KOH∶DI水的體積比為5∶100,?反應時間為20~60s;
(4)清洗:最后再用DI水對硅片進行清洗,去除酸性和堿性溶液,其PN結發(fā)射區(qū)方阻將上升至85~100Ω/□,然后繼續(xù)進行刻蝕、PECVD、絲網印刷和燒結測試工藝。
本發(fā)明的有益效果是:?采用本發(fā)明方法,對擴散后硅片的PN結進行優(yōu)化處理,從而去除了PN的高表面濃度區(qū)域和降低結深,提高方塊電阻和均勻性,達到優(yōu)化太陽能電池PN結的目的,改善電池的光譜響應和表面復合,提高電池效率。
具體實施方式
實施例1:一種優(yōu)化晶體硅太陽能電池PN結的方法,具體步驟如下:
(1)擴散:用于晶體硅太陽能電池制造的單晶125硅片,在對硅片進行表面去損傷和制絨,采用管式擴散爐進行擴散,其方阻控制為60Ω/□;
(2)酸溶液對PN結腐蝕:將擴散后的硅片置于化學清洗機臺中,采用酸性腐蝕液對硅片進行腐蝕,所述的酸性腐蝕液為HNO3、HF和DI水的混合溶液,所述HNO3∶HF∶DI水的體積比為10∶1∶100,?反應時間為60s;
(3)PN結堿溶液處理:?由于酸性腐蝕液對硅片進行酸性腐蝕時,表面會產生薄多孔硅層,因此需將酸洗后的硅片置于化學清洗機臺中,采用KOH和DI水的混合溶液對其清洗,所述KOH∶DI水的體積比為5∶100,?反應時間為60s;
(4)清洗:最后再用DI水對硅片進行清洗,去除酸性和堿性溶液,其PN結發(fā)射區(qū)方阻將上升至85Ω/□,然后繼續(xù)進行刻蝕、PECVD、絲網印刷和燒結測試等后續(xù)工藝。
實施例2:另一種優(yōu)化晶體硅太陽能電池PN結的方法,具體步驟如下:
(1)擴散:用于晶體硅太陽能電池制造的多晶156硅片,在對硅片進行表面去損傷和制絨,采用管式擴散爐進行擴散,其方阻控制為80Ω/□;
(2)酸溶液對PN結腐蝕:將擴散后的硅片置于化學清洗機臺中,采用酸性腐蝕液對硅片進行腐蝕,所述的酸性腐蝕液為HNO3、HF和DI水的混合溶液,所述HNO3∶HF∶DI水的體積比為10∶1∶100,?反應時間為20s;
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





