[發明專利]一種優化晶體硅太陽能電池PN結的方法

無效

• 申請號: 201410449740.3
• 申請日: 2014-09-05
• 公開（公告）號: CN104183672A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發明（設計）人: 徐華浦;蔣方丹;金浩;陳康平
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 吳關炳

1.一種優化晶體硅太陽能電池PN結的方法，其特征在于，具體步驟如下：

（1）擴散：用于晶體硅太陽能電池制造的單晶或多晶硅片，在對硅片進行表面去損傷和制絨，采用管式擴散爐進行擴散，其方阻控制為60～80?Ω/□；

（2）酸溶液對PN結腐蝕：將擴散后的硅片置于化學清洗機臺中，采用酸性腐蝕液對硅片進行腐蝕，所述的酸性腐蝕液為HNO₃、HF和DI水的混合溶液，所述HNO₃∶HF∶DI水的體積比為10∶1∶100,?反應時間為20～60s；

（3）PN結堿溶液處理:?由于酸性腐蝕液對硅片進行酸性腐蝕時，表面會產生薄多孔硅層，因此需將酸洗后的硅片置于化學清洗機臺中，采用KOH和DI水的混合溶液對其清洗，所述KOH∶DI水的體積比為5∶100,?反應時間為20～60s；

（4）清洗：最后再用DI水對硅片進行清洗，去除酸性和堿性溶液，其PN結發射區方阻將上升至85～100Ω/□，然后繼續進行刻蝕、PECVD、絲網印刷和燒結測試工藝。