[發(fā)明專利]一種掩模板及使用掩模板制作光阻間隔物的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410449673.5 | 申請日: | 2014-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN104298011A | 公開(公告)日: | 2015-01-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 呂啟標 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1339 | 分類號: | G02F1/1339;G03F7/00;G03F1/54 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 模板 使用 制作 間隔 方法 | ||
【技術領域】
本發(fā)明涉及液晶顯示器技術領域,特別是涉及一種掩模板及使用掩模板制作光阻間隔物的方法。
【背景技術】
薄膜晶體管液晶顯示器是由上下兩塊玻璃基板組成,其中上玻璃基板是彩膜基板,液晶顯示器的最后一道工序是在基板上面制作光阻間隔物(PS:Photo?Spacer),光阻間隔物的作用是支撐上下基板,使得兩塊基板之間形成一定的間隙以填充液晶。
由于顯示器注入液晶的量是一定的,過大的間隙會使得液晶無法填滿空隙,影響顯示器的顯示效果;間隙偏小會直接降低面板的穿透率,使得面板能效降低。因此,上下基板之間的間隙必須精確地控制。
隨著顯示器分辨率越來越高,像素越來越小,使得陣列基板側沒有足夠的空間放置光阻間隔物,需要制作不同高度的次光阻間隔物,從而提高玻璃基板間間隙寬度的均勻性,進而提高液晶顯示器的顯示效果。
因此,有必要提供一種掩模板及使用掩模板制作光阻間隔物的方法,以解決現(xiàn)有技術所存在的問題。
【發(fā)明內容】
本發(fā)明的目的在于提供一種掩模板及使用掩模板制作光阻間隔物的方法,以提高玻璃基板間間隙寬度的均勻性,進而提高液晶顯示器的顯示效果。
為解決上述技術問題,本發(fā)明構造了一種使用掩模板制作光阻間隔物的方法,其中所述掩模板包括第一透光區(qū)域,所述第一透光區(qū)域包括遮光部分;
所述制作光阻間隔物的方法包括:
在液晶顯示器的基板的表面涂布負向光阻材料;
使用所述掩模板對所述負向光阻材料進行曝光;
對所述曝光后的負向光阻材料進行顯影,以形成具預設高度的次光阻間隔物;
其中根據所述次光阻間隔物的預設高度,確定所述第一透光區(qū)域的所述遮光部分的面積。
在本發(fā)明的使用掩模板制作光阻間隔物的方法中,所述次光阻間隔物的高度與所述遮光部分的面積成反比。
在本發(fā)明的使用掩模板制作光阻間隔物的方法中,所述遮光部分包括面積相等、形狀相同的第一遮光部分以及第二遮光部分。
在本發(fā)明的使用掩模板制作光阻間隔物的方法中,所述第一遮光部分的面積以及所述第二遮光部分的面積的范圍均為1平方微米至100平方微米。
在本發(fā)明的使用掩模板制作光阻間隔物的方法中,所述第一遮光部分和所述第二遮光部分的面積之和為所述第一透光區(qū)域面積的30%至40%。
在本發(fā)明的使用掩模板制作光阻間隔物的方法中,所述第一遮光部分與所述第二遮光部分之間的間距為1微米至10微米。
在本發(fā)明的使用掩模板制作光阻間隔物的方法中,所述掩模板包括至少兩個所述第一透光區(qū)域;其中所述至少兩個所述第一透光區(qū)域的所述遮光部分的面積不同,以形成至少兩種高度的所述次光阻間隔物。
在本發(fā)明的使用掩模板制作光阻間隔物的方法中,所述掩模板還包括第二透光區(qū)域,所述第二透光區(qū)域用于形成主光阻間隔物。
本發(fā)明的另一個目的在于提供一種掩模板,其包括第一透光區(qū)域,所述第一透光區(qū)域用于形成次光阻間隔物,所述第一透光區(qū)域包括遮光部分,所述遮光部分的面積根據所述次光阻間隔物的預設高度設置的。
在本發(fā)明的掩模板中,所述遮光部分包括面積相等、形狀相同的第一遮光部分以及第二遮光部分。
本發(fā)明的掩模板及使用掩模板制作光阻間隔物的方法,通過在第一透光區(qū)域上設置面積不同的遮光部分,從而得到高度不同的次光阻間隔物,以提高玻璃基板間間隙寬度的均勻性,進而提高液晶顯示器的顯示效果。
【附圖說明】
圖1為本發(fā)明的掩模板的橫截面的結構示意圖;
圖2為本發(fā)明使用掩模板制作光阻間隔物的方法流程圖;
圖3為本發(fā)明的掩模板透光區(qū)域的結構示意圖;
圖4為本發(fā)明的掩模板的不同面積的遮擋部分與光阻間隔物高度變化示意圖;
圖5為本發(fā)明光阻間隔物的增長幅度隨所述遮光部分的面積占透光區(qū)域百分比的變化的示意圖;
圖6為本發(fā)明的掩模板第一透光區(qū)域的優(yōu)選結構示意圖。
【具體實施方式】
以下各實施例的說明是參考附加的圖式,用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明所提到的方向用語,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」等,僅是參考附加圖式的方向。因此,使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明,而非用以限制本發(fā)明。在圖中,結構相似的單元是以相同標號表示。
請參照圖1,圖1為本發(fā)明的掩模板橫截面的結構示意圖。
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