[發(fā)明專利]超紫外線光刻投影光學(xué)系統(tǒng)和相關(guān)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410449045.7
• 申請日: 2014-09-04
• 公開（公告）號: CN104914678B
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 游信勝;盧彥丞;嚴(yán)濤南
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種超紫外線(EUV)光刻系統(tǒng)包括：

具有掩模的掩模模塊；

投影光學(xué)系統(tǒng)，包括配置和設(shè)計(jì)為將掩模的圖案成像到晶圓上的少于六個的平面鏡，所述掩模將光的部分從所述掩模反射到所述投影光學(xué)系統(tǒng)，并且所述投影光學(xué)系統(tǒng)還配置和設(shè)計(jì)為實(shí)現(xiàn)：

數(shù)值孔徑小于約0.50；

成像到所述晶圓上的輻射的圖像域尺寸大于或等于約20mm；以及

光瞳平面包括中心遮攔；

所述掩模包括吸收入射到其上的光的吸收區(qū)和反射入射到其上的光的反射區(qū)，吸收區(qū)配置為反射入射到其上的光，這些光具有不同于由所述反射區(qū)所反射的光的相位。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光刻系統(tǒng)，其中，所述數(shù)值孔徑大于或等于0.35。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光刻系統(tǒng)，其中，所述投影光學(xué)系統(tǒng)包括至少兩個平面鏡。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的EUV光刻系統(tǒng)，其中，所述至少兩個平面鏡包括中心遮攔。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光刻系統(tǒng)，所述中心遮攔的半徑小于或等于所述光瞳平面的半徑的50％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光刻系統(tǒng)，所述中心遮攔的面積小于或等于所述光瞳平面的面積的25％。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光刻系統(tǒng)，其中，所述投影光學(xué)系統(tǒng)包括施瓦茲希爾德光學(xué)組件。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光刻系統(tǒng)，其中，成像到所述晶圓上的所述輻射的波長為約1nm到約100nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光刻系統(tǒng)，其中，成像到所述晶圓上的所述輻射的波長為約13.5nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV光刻系統(tǒng)，其中，所述掩模是反射掩模。

11.一種超紫外線(EUV)光刻系統(tǒng)包括：

輻射源模塊；

照射模塊；

掩模模塊，包括掩模，所述掩模包括吸收入射到其上的光的吸收區(qū)和反射入射到其上的光的反射區(qū)，吸收區(qū)配置為反射入射到其上的光，這些光具有不同于由所述反射區(qū)所反射的光的相位；

投影光學(xué)模塊；

晶圓模塊，包括晶圓；

其中，所述輻射源模塊發(fā)出所述照射模塊收集并導(dǎo)向到所述掩模上的EUV輻射，所述掩模將所述EUV輻射的一部分反射到所述投影光學(xué)模塊，并且所述投影光學(xué)模塊收集所述EUV輻射中的反射部分并將其導(dǎo)向到所述晶圓上；以及

進(jìn)一步地，所述投影光學(xué)模塊包括兩個到五個平面鏡，所述兩個到五個平面鏡設(shè)計(jì)并配置為具有小于約0.50的數(shù)值孔徑，成像到所述晶圓上的所述EUV輻射中的反射部分的圖像域尺寸大于或等于約20mm，并且具有包括中心遮攔的光瞳平面。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的EUV光刻系統(tǒng)，其中，所述中心遮攔的半徑小于或等于所述光瞳平面的半徑的50％。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的EUV光刻系統(tǒng)，其中，所述中心遮攔的面積小于或等于所述光瞳平面的面積的25％。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的EUV光刻系統(tǒng)，其中，所述數(shù)值孔徑大于或等于約0.35。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的EUV光刻系統(tǒng)，其中，所述投影光學(xué)模塊包括施瓦茲希爾德光學(xué)組件。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的EUV光刻系統(tǒng)，其中，所述EUV輻射的波長為約13.5nm。

17.一種超紫外線(EUV)光刻方法，包括：

提供具有兩個到五個平面鏡的投影光學(xué)系統(tǒng)，其中，所述兩個到五個平面鏡設(shè)計(jì)并配置為具有小于約0.50的數(shù)值孔徑，成像到晶圓上的EUV輻射的圖像域尺寸大于或等于約20mm，并且具有包括中心遮攔的光瞳平面；

使用所述EUV輻射照射掩模，所述掩模包括吸收入射到其上的光的吸收區(qū)和反射入射到其上的光的反射區(qū)，吸收區(qū)配置為反射入射到其上的光，這些光具有不同于由所述反射區(qū)所反射的光的相位；以及

通過所述投影光學(xué)系統(tǒng)收集從所述掩模所反射的所述EUV輻射，其中，收集的EUV輻射在通過所述投影光學(xué)系統(tǒng)成像到所述晶圓上之前，從所述兩個到五個平面鏡進(jìn)行反射。