[發明專利]一種提高反應室使用效率的方法有效
| 申請號: | 201410449044.2 | 申請日: | 2014-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN105470102B | 公開(公告)日: | 2018-08-14 |
| 發明(設計)人: | 劉欣欣;張波 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 反應 使用 效率 方法 | ||
本發明涉及集成電路制造領域,具體涉及一種提高反應室使用效率的方法,在進行一道生產工藝前,通過生產工藝控制系統得到進行上述生產工藝的機臺上可用反應室數量,并于該生產工藝控制系統中設定參與上述生產工藝的最小反應室的數量,繼續將上述的數據信息傳輸至機臺自動化系統,而該機臺自動化系統繼續利用上述可用反應室的屬性信息選擇符合最小反應室數量的空閑的可用反應室,繼續均衡上述空閑的可用反應室將要處理晶圓的數量后,于該空閑的可用反應室中進行生產工藝,從而減少了晶圓等待處理的時間,有效提高了反應室的使用效率。
技術領域
本發明涉及集成電路制造領域,具體涉及一種提高反應室使用效率的方法。
背景技術
在集成電路生產中,主要由晶圓機臺來生產晶圓,即一批晶圓要進入一晶圓機臺的反應室中進行處理;而每個晶圓機臺可能擁有若干個反應室,而同一個晶圓機臺的不同反應室針對同一種生產工藝(RECIPE)的處理方式可能是一樣的,若處理方式相同,則晶圓可以進入這個機臺的任何一個反應室進行處理。
在實際生產中,具體的生產工藝可以在哪個反應室進行處理是由制程工程師在生產工藝控制系統(Recipe Control Program簡稱,RCP)中進行配置的,針對一個生產工藝需要配置多個反應室。當一晶圓要到機臺進行處理時,它所進入的反應室可能正在處理其他晶圓,所以這個晶圓就要等待后處理,這樣就不僅加長了晶圓的處理時間,還會使晶圓機臺有的反應室比較空閑而有的反應室比較忙碌,降低了有些反應室的使用效率,所以需要有一種方法可以提高晶圓機臺每個反應室的使用效率,使機臺的每個反應室都可以得到充分的利用,也可以減少晶圓等待處理的時間,從而可以提高生產效率減少晶圓生產時間。
發明內容
本發明公開了一種提高反應室使用效率的方法,在進行一道生產工藝前,通過生產工藝控制系統得到進行上述生產工藝的機臺上可用反應室數量,并于該生產工藝控制系統中設定參與上述生產工藝的最小反應室的數量,繼續將上述的數據信息傳輸至機臺自動化系統,而該機臺自動化系統繼續利用上述可用反應室的屬性信息選擇符合最小反應室數量的空閑的可用反應室,繼續均衡上述的空閑的可用反應室將要處理晶圓的數量后,于該空閑的可用反應室中進行生產工藝,從而減少了晶圓等待處理的時間,有效提高了反應室的使用效率。
本發明記載了一種提高反應室使用效率的方法,應用于設置有若干反應室的晶圓機臺上,其中,所述方法包括:
步驟S1:在進行一道生產工藝前,于生產工藝控制系統中,根據該道生產工藝的條件和每個反應室的參數數據設置所述晶圓機臺上可用于進行所述生產工藝的反應室,并根據工藝需求設定參與所述生產工藝的最小反應室數量;
步驟S2:當若干個晶圓進入一所述晶圓機臺進行所述生產工藝時,機臺自動化系統根據生產工藝控制系統中設置的可用于進行所述生產工藝的反應室,得出可用反應室的屬性信息,并獲取該晶圓機臺上可用反應室數量和所述最小反應室數量;
步驟S3:所述機臺自動化系統將當前晶圓機臺上可用反應室數量與所述最小反應室數量進行比對;
若當前晶圓機臺上可用反應室數量大于所述最小反應室數量時,所述機臺自動化系統根據所述可用反應室的屬性信息,在當前晶圓機臺上選擇空閑的可用反應室進行所述生產工藝;
否則,所述機臺自動化系統根據所述可用反應室的屬性信息,在當前晶圓機臺上選擇所有的可用反應室進行所述生產工藝;
其中,所述空閑的可用反應室的數量與所述最小反應室數量相等。
上述的提高反應室使用效率的方法,其中,所述生產工藝控制系統與機臺自動化系統雙向通訊連接,所述機臺自動化系統與所述晶圓機臺雙向通訊連接;
其中,所述機臺自動化系統實時接收所述晶圓機臺上所有反應室的屬性信息,并對其中的可用反應室的屬性信息進行處理后,以在當前晶圓機臺上選擇空閑的可用反應室進行所述生產工藝。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





