[發(fā)明專利]在聚合物基板上形成金屬圖案的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410448908.9 | 申請日: | 2014-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN105321800B | 公開(公告)日: | 2017-12-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 羅昱凱;陳世宏;郭昱甫;莊子文 | 申請(專利權(quán))人: | 啟碁科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京嘉和天工知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11269 | 代理人: | 嚴(yán)慎,支媛 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 聚合物 基板上 形成 金屬 圖案 方法 | ||
1.一種在聚合物基板上形成金屬圖案的方法,所述在聚合物基板上形成金屬圖案的方法包括:
提供一聚合物基板;
在所述聚合物基板的表面上形成一混合層,其中所述混合層包括活性載體介質(zhì)與分散于所述活性載體介質(zhì)中的納米粒子;
通過用激光步驟處理所述混合層融合所述混合層的一部分中的所述納米粒子,以在所述聚合物基板的所述表面上形成導(dǎo)電圖案,其中所述納米粒子通過在所述激光步驟期間從所述納米粒子產(chǎn)生的熱被融合在一起;
進(jìn)行清洗步驟,以移除未經(jīng)處理的所述混合層的部分,以暴露出所述聚合物基板的所述表面,同時保留所述導(dǎo)電圖案留在所述聚合物基板的所述表面上;以及
對留在所述聚合物基板上的所述導(dǎo)電圖案進(jìn)行電鍍處理,以在所述導(dǎo)電圖案上形成金屬圖案。
2.如權(quán)利要求1所述的在聚合物基板上形成金屬圖案的方法,其中所述聚合物基板的材料包括尼龍、聚碳酸酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯、聚碳酸酯/丙烯腈-丁二烯-苯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚四氟乙烯或液晶聚合物。
3.如權(quán)利要求1所述的在聚合物基板上形成金屬圖案的方法,其中所述納米粒子的材料包括氧化銅、銅、銀或金。
4.如權(quán)利要求1所述的在聚合物基板上形成金屬圖案的方法,其中所述納米粒子的材料包括氧化銅。
5.如權(quán)利要求4所述的在聚合物基板上形成金屬圖案的方法,其中所述激光步驟是藉由使用功率為0.2~4W且具有20%~80%激光點(diǎn)覆蓋率、波長為355~1064納米的激光來進(jìn)行。
6.如權(quán)利要求5所述的在聚合物基板上形成金屬圖案的方法,其中所述導(dǎo)電圖案為銅層。
7.如權(quán)利要求4所述的在聚合物基板上形成金屬圖案的方法,其中所述電鍍處理包括銅電鍍處理且所述金屬圖案包括銅圖案。
8.如權(quán)利要求1所述的在聚合物基板上形成金屬圖案的方法,其中所述納米粒子的平均尺寸小于100納米。
9.如權(quán)利要求1所述的在聚合物基板上形成金屬圖案的方法,其中相對于所述混合層的總重量,所述混合層中的所述納米粒子的含量為自20重量%至40重量%。
10.如權(quán)利要求1所述的在聚合物基板上形成金屬圖案的方法,其中所述活性載體介質(zhì)的材料包括聚乙烯吡咯烷酮或聚乙烯氧化物。
11.如權(quán)利要求1所述的在聚合物基板上形成金屬圖案的方法,其中形成所述混合層包括藉由噴灑涂布、旋轉(zhuǎn)涂布、浸涂、絲網(wǎng)印刷、移印或涂抹來形成所述混合層。
12.如權(quán)利要求1所述的在聚合物基板上形成金屬圖案的方法,其中所述導(dǎo)電圖案的位置對應(yīng)于所述金屬圖案的位置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





