[發(fā)明專利]一種多晶硅制備工藝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410448605.7 | 申請日： | 2014-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN104294355A | 公開（公告）日： | 2015-01-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 潘歡歡;郭寬新;孫海知;宋江;邢國強 | 申請（專利權(quán)）人： | 奧特斯維能源（太倉）有限公司 |
| 主分類號： | C30B28/06 | 分類號： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 劉燕嬌 |
| 地址： | 215434 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 多晶 制備 工藝 | ||
1.一種多晶硅制備工藝，其特征在于：包括以下步驟：
1.在坩堝底部均勻鋪設(shè)第一層形核源；
2.在第一層形核源上涂噴涂層，涂層完整覆蓋第一層形核源；
3.在步驟2的涂層上均勻鋪設(shè)第二層形核源；
4.將多晶硅料盛裝于坩堝中，完成裝料；
5.將裝滿硅料的坩堝置于多晶鑄錠爐中，進行抽真空、加熱，進而進入高溫熔化階段，所述鑄錠爐的最大熔化溫度控制在1510℃-1540℃，通過調(diào)整熱場保持多晶硅料自上而下進行熔化；
6.當?shù)诙有魏嗽吹氖Ｓ嗔繛?cm時，進而進入長晶階段；
7.硅料經(jīng)過長晶、退火、冷卻，得到多晶硅錠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅制備工藝，其特征在于：所述第一層形核源和第二層形核源均為硅料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅制備工藝，其特征在于：所述步驟6中采用石英棒測量形核源剩余量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種多晶硅制備工藝，其特征在于：所述第一層形核源目數(shù)大于一目。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅制備工藝，其特征在于：所述坩堝為石英方坩堝。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種多晶硅制備工藝，其特征在于：所述第二層形核源硅料為單晶結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅制備工藝，其特征在于：所述涂層為氮化硅涂層。
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