[發明專利]襯底與基板分離工藝、犧牲層、柔性顯示器件及其制備工藝

在審

• 申請號: 201410448021.X
• 申請日: 2014-09-04
• 公開（公告）號: CN104201283A
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發明（設計）人: 徐苗;許志平;李洪濛;鄒建華;王磊;陶洪;彭俊彪
• 申請（專利權）人: 廣州新視界光電科技有限公司
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01L51/56;H01L51/52
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 趙蕊紅

技術領域

本發明涉及柔性半導體薄膜技術領域，特別是涉及一種柔性顯示器件制備的襯底與基板分離工藝及其所采用的犧牲層、具有該分離工藝的柔性顯示器件的制備工藝以及通過該分離工藝所制備而成的柔性顯示器件。?

背景技術

柔性顯示器件制備時是首先在硬質基板上形成柔性薄膜襯底，然后再在柔性薄膜襯底上制作器件，最后將基板與柔性薄膜襯底解離得到去除基板的成品器件。但是，現有技術中的這種方法存在一些缺陷：由于柔性的襯底往往會和硬質基板直接產生較強的黏附作用，因此將柔性薄膜襯底從硬質基板上解離時往往容易損傷柔性襯底薄膜及其上的電子器件。

為了克服上述解離困難，通常在硬質基板與柔性薄膜襯底之間插入特定的犧牲層，利用犧牲層降低二者之間的黏附作用，并且將解離過程中柔性薄膜襯底可能會受到的物理應力、化學腐蝕等損傷轉嫁給犧牲層。目前常見的犧牲層材料包括多晶硅、單晶硅、氮化硅、氧化硅、光刻膠和金屬等。

中國專利申請號201110113872.5、名稱為柔性顯示器件及其制造方法公開了一種熱發生器、犧牲層的結構，犧牲層在熱發生器作用下分解，使得襯底得以解離。但是這種方法結構復雜，且工藝時間較長。

美國專利US20090266471公開了一種氫化的氮化硅犧牲層（附著層），通過激光或者紫外線照射使得犧牲層釋放氫氣分子，產生解離效果。這種方法需要能耐高溫的基板，且要求基板必須是對特定波長的光是透明的，工藝成本高，還容易出現光損傷的問題。

專利申請號為201110330161.3、名稱為用于制備柔性平面裝置的方法，公開了一種粘性材料犧牲層，可將柔性襯底粘附到載體基板上。這種方法簡單快捷，但粘性材料耐高溫性能、耐藥性差，嚴重限制了該類型基板的適用范圍。

由于犧牲層在柔性顯示裝置中的特殊作用，要求犧牲層本身不能和柔性薄膜襯底產生過大的黏附作用，同時硬質基板、犧牲層、柔性薄膜之間的黏附作用也不能過小以避免制備過程中出現的脫離問題。

因此，針對現有技術不足，提供一種犧牲層，能夠有效降低柔性薄膜襯底與硬質基板的粘附作用，又能夠方便、低成本、快速解離，且不影響器件性能甚為必要。同時提供一種能夠方便、低成本、快速實現柔性顯示器件襯底與基板分離的工藝、及采用此工藝制備的柔性顯示器件以克服現有技術不足甚為必要。

發明內容

本發明的目的在于避免現有技術的不足之處而提供一種柔性顯示器件襯底與基板分離的工藝，能夠簡單、低成本、快速地實現襯底與基板分離。?

本發明的上述目的通過如下技術手段實現。??

提供用于柔性顯示器件制備的襯底與基板分離工藝，包括如下步驟,

（1）在基板上制備犧牲層,所述犧牲層為碳單質薄膜；

（2）在犧牲層上制備柔性薄膜襯底；

（3）在柔性薄膜襯底上制備電子元件；

（4）將柔性薄膜襯底從基板上解離獲得成品柔性顯示器件。

上述碳單質薄膜為非晶碳膜、碳納米管薄膜、石墨烯薄膜、富勒烯薄膜或者類金剛石薄膜中的任意一種或者一種以上。

上述犧牲層的厚度為1nm-1000nm。

上述犧牲層通過化學氣相沉積法、物理氣相沉積法或者溶液加工法中的任意一種方法制備而成。

優選的，上述步驟（4）通過力學方式將柔性薄膜襯底與犧牲層整體從基板上撕開使基板與柔性薄膜襯底分開得到分離了基板后的成品柔性顯示器件。

另一優選的，上述步驟（2）具體是制備柔性薄膜襯底，使柔性薄膜襯底完全覆蓋犧牲層形成部分包覆體，在犧牲層的邊緣外側，柔性薄膜襯底與基板接觸；

所述步驟（4）具體包括，

（4.1）沿著具有柔性薄膜襯底、犧牲層和基板三層結構依次疊置的位置切割部分包覆體，形成切割線；?

（4.2）沿著切割線將柔性薄膜襯底與犧牲層整體從基板上撕開得到分離了基板的成品柔性顯示器件。

另一優選的，上述的襯底與基板分離工藝，具體包括如下步驟，

（1）在基板上制備犧牲層形成第一體；

（2）制備柔性薄膜襯底，使柔性薄膜襯底完全包覆所述第一體的外表面形成完全包覆體；

（3）在靠近犧牲層一側的柔性薄膜襯底上制備電子元件；

（4）將柔性薄膜襯底從基板上解離獲得成品柔性顯示器件；

所述步驟（4）具體包括，