[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410447199.2
• 申請日: 2014-09-04
• 公開（公告）號: CN104716114A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小坂善幸;山崎尚
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/48
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 張世俊

[相關(guān)申請案]

本申請案享有以日本專利申請案2013-258703號(申請日：2013年12月13日)作為基礎(chǔ)申請案的優(yōu)先權(quán)。本申請案通過參照該基礎(chǔ)申請案而包含基礎(chǔ)申請案的全部內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

已知一種具有抑制噪音從內(nèi)部洩漏的功能的半導(dǎo)體裝置。這種半導(dǎo)體裝置采用如下構(gòu)造等：例如，以金屬性的屏蔽層覆蓋半導(dǎo)體裝置主體的周圍，進(jìn)而，將供安裝半導(dǎo)體元件的電路基板的接地配線與屏蔽層連接。

此處，通過降低將所述電路基板的接地配線與屏蔽層連接的狀態(tài)下的連接電阻，可期待良好的屏蔽效果。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種可確保預(yù)期的屏蔽效果的半導(dǎo)體裝置。

實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置包括電路基板、密封樹脂層、屏蔽層、及多個通孔。半導(dǎo)體元件搭載在電路基板上。密封樹脂層密封半導(dǎo)體元件。屏蔽層具有導(dǎo)電性，且在與電路基板之間覆蓋密封樹脂層。多個通孔中的至少一個電連接于屏蔽層，并且多個通孔分別沿著電路基板的周邊部分排列。進(jìn)而，在從電路基板的厚度方向透視所述多個通孔中的排列在電路基板的周邊部分的一個邊部的多個規(guī)定的通孔的情況下，多個所述規(guī)定的通孔整體上占據(jù)的區(qū)域的與該邊部正交的方向上的寬度大于各個所述規(guī)定的通孔單獨(dú)占據(jù)的區(qū)域的沿該邊部的方向上的寬度。

附圖說明

圖1是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的側(cè)視圖。

圖2是圖1所示的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。

圖3是表示在圖1的半導(dǎo)體裝置形成屏蔽層之前的狀態(tài)的剖視圖。

圖4是概略性地表示圖1的半導(dǎo)體裝置所具備的電路基板的俯視圖。

圖5是表示圖4的電路基板的剖視圖。

圖6是表示圖1所示的半導(dǎo)體裝置的主要制造步驟的流程圖。

圖7(a)～(c)是用來說明與圖6對應(yīng)的制造步驟的剖視圖。

圖8是概略性地表示將圖4的電路基板從廢棄基板分割之前的狀態(tài)的俯視圖。

圖9是表示設(shè)置在圖4的電路基板的側(cè)面的通孔的構(gòu)成的俯視圖。

圖10是表示設(shè)置在圖4的電路基板的側(cè)面的通孔的布局的俯視圖。

圖11是圖10的A-A剖視圖。

圖12是圖10的B-B剖視圖。

圖13是表示比較例的通孔的布局的俯視圖。

圖14是圖13的C-C剖視圖。

圖15是圖13的D-D剖視圖。

圖16是表示配置在第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置所具備的電路基板的側(cè)面的通孔的構(gòu)成的俯視圖。

圖17是表示配置在第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置所具備的電路基板的側(cè)面的通孔的構(gòu)成的俯視圖。

圖18是表示圖17的通孔的構(gòu)成的剖視圖。

圖19是概略性地表示構(gòu)造與第一～第三實(shí)施方式不同的另一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。

圖20是概略性地表示構(gòu)造與圖4的電路基板不同的另一電路基板的圖。

圖21(a)及(b)是概略性地表示構(gòu)造與第一～第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置及圖19所示的半導(dǎo)體裝置不同的又一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。

圖22是概略性地表示構(gòu)造與第一～第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置、以及圖19及圖21所示的半導(dǎo)體裝置不同的又一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。

具體實(shí)施方式

以下，基于附圖對實(shí)施方式進(jìn)行說明。

<第一實(shí)施方式>

如圖1～圖3所示，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置10是對FBGA(Fine?pitch?Ball?Grid?Array，微間距球柵陣列)6形成導(dǎo)電性的屏蔽層7而成的附有屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝體。FBGA6主要包括例如作為插入式基板等的電路基板2、焊球3、半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體芯片)4、及密封樹脂層5。

半導(dǎo)體元件4搭載在電路基板2的另一主面上。焊球3是設(shè)置在電路基板2的一主面(半導(dǎo)體元件的非搭載面)側(cè)的外部連接端子。密封樹脂層5在與電路基板2之間密封半導(dǎo)體元件4。電路基板2在具有電絕緣性的基材21形成著兩層配線層。也就是說，在電路基板2的一主面(圖2中的下表面)設(shè)置著第一配線層22。另外，在電路基板2的另一主面(圖2中的上表面)設(shè)置著第二配線層23。