[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 201410447199.2 | 申請日： | 2014-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN104716114A | 公開（公告）日： | 2015-06-17 |
| 發明（設計）人： | 小坂善幸;山崎尚 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 張世俊 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，其特征在于包括：
電路基板；
半導體元件，搭載在所述電路基板上；
密封樹脂層，密封所述半導體元件；
導電性的屏蔽層，在與所述電路基板之間覆蓋所述密封樹脂層；以及
多個通孔(via)，至少一個電連接于所述屏蔽層，并且分別沿著所述電路基板的周邊部分排列；且
在從所述電路基板的厚度方向透視所述多個通孔中的排列在所述電路基板的周邊部分的一個邊部的多個規定的通孔的情況下，多個所述規定的通孔整體上占據的區域的與該邊部正交的方向上的寬度大于各個所述規定的通孔單獨占據的區域的沿該邊部的方向上的寬度。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：在從所述電路基板的厚度方向透視所述多個規定的通孔的情況下，所述多個規定的通孔中的至少一個相對于其他規定的通孔在與所述邊部正交的方向上移位而配置。
3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于：在從所述電路基板的厚度方向透視所述多個規定的通孔的情況下，各個所述規定的通孔的形狀的縱橫比不同。
4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于：在從沿所述電路基板的基板表面的方向透視所述多個規定的通孔的情況下，每個所述規定的通孔的形成在所述電路基板的一主面側的部位以及每個所述規定的通孔的形成在所述電路基板的另一主面側的部位是在與所述邊部正交的方向上相對地移位而配置。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于：
所述電路基板為三層以上的多層基板；
所述多個規定的通孔分別為堆疊通孔。
6.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于：
所述多個規定的通孔分別連接于接地配線；
所述多個規定的通孔中的至少一個在所述電路基板的端面露出，且經由該露出的端面與所述屏蔽層電連接。
7.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于還包括：
電阻值計量用的一系統的焊墊部，設置在所述電路基板中的所述半導體元件的非搭載面側，且與所述屏蔽層電連接；以及
電阻值計量用的另一系統的焊墊部，設置在所述電路基板中的所述半導體元件的非搭載面側，構成所述電路基板的對準用標記，并且與所述屏蔽層電連接。
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