[發(fā)明專利]一種掩膜板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410446667.4
• 申請日: 2014-09-03
• 公開（公告）號: CN104267574A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張家祥;郭建
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種掩膜板。

背景技術(shù)

目前高像素產(chǎn)品越來越多的出現(xiàn)，像素結(jié)構(gòu)也越來越小，這就要求接觸孔的直徑也越來越小。同樣用于制作像素結(jié)構(gòu)的掩膜板的過孔的直徑也越來越小，但由于掩膜板的過孔會產(chǎn)生的衍射效應(yīng)及設(shè)備限制，無法制作4um以下的接觸孔；只能通過更新曝光機，使用鏡口率(Numerical?Aperture)更高的曝光機來實現(xiàn)分辨率的提升。然而，更新一臺曝光機的成本非常昂貴，使許多面板廠商面臨成本壓力。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)存在由于掩膜板的過孔產(chǎn)生衍射效應(yīng)導(dǎo)致無法制作4um以下的接觸孔的問題，提供一種能夠消除衍射效應(yīng)的掩膜板。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種掩膜板，包括襯底和在所述襯底上依次設(shè)置的相位反轉(zhuǎn)層、擋光層；

其中，所述擋光層上設(shè)有鏤空區(qū)域；

所述相位反轉(zhuǎn)層在所述擋光層上的投影至少部分位于所述鏤空區(qū)域；

所述相位反轉(zhuǎn)層將從襯底側(cè)入射的光線進行相位反轉(zhuǎn)用于抵消所述光線經(jīng)過鏤空區(qū)域產(chǎn)生衍射的光線。

優(yōu)選的是，在所述的相位反轉(zhuǎn)層和所述襯底之間還設(shè)有增透層；所述增透層在所述擋光層上的投影覆蓋所述鏤空區(qū)域。

優(yōu)選的是，所述增透層的厚度范圍為200-400埃。

優(yōu)選的是，所述相位反轉(zhuǎn)層的厚度范圍為400-600埃。

優(yōu)選的是，所述相位反轉(zhuǎn)層的光線透過率范圍為5-8％。

優(yōu)選的是，所述擋光層的厚度范圍為1500-2000埃。

優(yōu)選的是，所述鏤空區(qū)域包括過孔。

優(yōu)選的是，所述過孔的直徑范圍為1.7-2.0um。

優(yōu)選的是，所述相位反轉(zhuǎn)層在所述擋光層上的投影的邊緣與所述過孔的邊緣的距離為0.5-0.8um。

優(yōu)選的是，所述增透層的材料包括MgF；所述擋光層的材料包括鉻；所述相位反轉(zhuǎn)層的材料包括SiMo。

本發(fā)明的掩膜板中相位反轉(zhuǎn)層2可以將經(jīng)過相位反轉(zhuǎn)層2的部分光線進行相位反轉(zhuǎn)，此時，經(jīng)過鏤空區(qū)域的部分光線產(chǎn)生衍射效應(yīng)時，與經(jīng)過相位反轉(zhuǎn)的光線抵消，消除了掩膜板的鏤空區(qū)域的衍射效應(yīng)，曝光形成的對應(yīng)鏤空區(qū)域的圖形的尺寸更小，能夠完成更小像素結(jié)構(gòu)的制備；同時，光線強度的從鏤空區(qū)域的中心向周邊的降低也更快，曝光形成的對應(yīng)鏤空區(qū)域的圖形的坡度角更大。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例1中掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例1中具有相位反轉(zhuǎn)層的掩膜板和不具有相位反轉(zhuǎn)層的掩膜板的光路對比示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例1中具有增透層的掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖標記說明：

1.襯底；2.相位反轉(zhuǎn)層；3.擋光層；4.增透層；5.鏤空區(qū)域。

具體實施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細描述。

實施例1：

圖1所示，本實施例提供一種掩膜板，包括襯底1和在所述襯底1上依次設(shè)置的相位反轉(zhuǎn)層2、擋光層3；

其中，擋光層3上設(shè)有鏤空區(qū)域5；

所述相位反轉(zhuǎn)層2在所述擋光層3上的投影至少部分位于所述鏤空區(qū)域5；

所述相位反轉(zhuǎn)層2將從襯底側(cè)入射的光線進行相位反轉(zhuǎn)用于抵消所述光線經(jīng)過鏤空區(qū)域5產(chǎn)生衍射的光線。

如圖2所示，光線經(jīng)過具有相位反轉(zhuǎn)層2的掩膜板和無相位反轉(zhuǎn)層2的掩膜板的對比圖，從圖2可見，具有相位反轉(zhuǎn)層2的掩膜板可以將經(jīng)過相位反轉(zhuǎn)層2的部分光線進行相位反轉(zhuǎn)，此時，經(jīng)過鏤空區(qū)域5的部分光線產(chǎn)生衍射效應(yīng)時，與經(jīng)過相位反轉(zhuǎn)的光線抵消，消除了掩膜板的鏤空區(qū)域5的衍射效應(yīng)(圖2中黑圓錐的底面積更小)，曝光形成的對應(yīng)鏤空區(qū)域5的圖形的尺寸更小，能夠完成更小像素結(jié)構(gòu)的制備；同時，光線強度的從鏤空區(qū)域5的中心向周邊的降低也更快(圖2中黑圓錐的高徑比更大)，曝光形成的對應(yīng)鏤空區(qū)域5的圖形的坡度角更大。

如圖3所示，優(yōu)選的，在所述的相位反轉(zhuǎn)層2和所述襯底1之間還設(shè)有增透層4；所述增透層4在所述擋光層3上的投影覆蓋所述鏤空區(qū)域5。