[發明專利]一種掩膜板在審
| 申請號： | 201410446667.4 | 申請日： | 2014-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN104267574A | 公開（公告）日： | 2015-01-07 |
| 發明（設計）人： | 張家祥;郭建 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/26 | 分類號： | G03F1/26 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;張天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 掩膜板 | ||
1.一種掩膜板，其特征在于，包括襯底和在所述襯底上依次設置的相位反轉層、擋光層；
其中，所述擋光層上設有鏤空區域；
所述相位反轉層在所述擋光層上的投影至少部分位于所述鏤空區域；
所述相位反轉層將從襯底側入射的光線進行相位反轉用于抵消所述光線經過鏤空區域產生衍射的光線。
2.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，在所述的相位反轉層和所述襯底之間還設有增透層；所述增透層在所述擋光層上的投影覆蓋所述鏤空區域。
3.根據權利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述增透層的厚度范圍為200-400埃。
4.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述相位反轉層的厚度范圍為400-600埃。
5.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述相位反轉層的光線透過率范圍為5-8％。
6.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述擋光層的厚度范圍為1500-2000埃。
7.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述鏤空區域包括過孔。
8.根據權利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述過孔的直徑范圍為1.7-2.0um。
9.根據權利要求8所述的掩膜板，其特征在于，所述相位反轉層在所述擋光層上的投影的邊緣與所述過孔的邊緣的距離為0.5-0.8um。
10.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述增透層的材料包括MgF；所述擋光層的材料包括鉻；所述相位反轉層的材料包括SiMo。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
