[發明專利]用于形成SRAM鰭部的掩膜版組件以及鰭部的制作方法

有效

• 申請號: 201410443536.0
• 申請日: 2014-09-02
• 公開（公告）號: CN105448699B
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 毛剛;張弓
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308;H01L27/11;G03F1/26
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

本申請公開了一種用于形成SRAM鰭部的掩膜版組件以及鰭部的制作方法。該掩膜版組件包括第一掩膜版和第二掩膜版，其中第一掩膜版包括至少兩組第一圖形單元，每組第一圖形單元包括第一光阻擋區和第一光透過區；第二掩膜版包括與每組第一圖形單元的位置對應設置的第二圖形單元，每組第二圖形單元包括第三光透過區和第三光阻擋區，其中，第一掩膜版還包括：第二光阻擋區，設置于相鄰第一圖形單元之間；第二光透過區，設置于相鄰第一圖形單元之間；第二掩膜版還包括：第四光透過區，與第二光阻擋區的位置對應設置；第四光阻擋區，設置于相鄰第二圖形單元之間，且位于第四光透過區的兩側。該掩膜版組件中圖形的均勻性得以提高。

技術領域

本申請涉及半導體集成電路的技術領域，具體而言，涉及一種用于形成SRAM鰭部的掩膜版組件以及鰭部的制作方法。

背景技術

SRAM(靜態隨機存儲器)是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路既能保存它內部存儲的數據。隨著半導體工藝技術的不斷發展，SRAM的集成度不斷提高，SRAM中晶體管的尺寸也不斷縮小，使得晶體管容易產生短溝道效應，最終影響SRAM的性能。為了克服上述問題，現有技術提出了鰭式場效應管(FinFET)。該鰭式場效應管包括凸出于襯底表面設置的鰭部，以及設置于該鰭部的上表面和側壁上的柵極結構。在該鰭式場效應管中，鰭部的頂部以及兩側的側壁與柵極結構相接觸的部分形成溝道區，從而有利于增大驅動電流，并改善SRAM的性能。

現有SRAM中的鰭部的制作方法通常包括以下步驟：首先，在襯底上依次形成第一掩膜層和第二掩膜層；然后，采用第一掩膜版刻蝕第二掩膜層，并在剩余第二掩膜層的兩側側壁上形成介質層；接下來，去除第二掩膜層，并采用第二掩膜版刻蝕介質層；最后沿剩余介質層中圖形刻蝕第一掩膜層和襯底，以在襯底中形成鰭部。圖1a和圖1b分別示意出了上述制作方法所采用第一掩膜版和第二掩膜版的結構示意圖。如圖1a所示，第一掩膜版包括至少兩組第一圖形單元，每組第一圖形單元包括多個平行設置的第一光阻擋區和相應地設置于相鄰第一光阻擋區之間的第一光透過區，同時第一掩膜版還包括設置在相鄰第一圖形單元之間的第二光透過區。如圖1b所示，第二掩膜版包括與每組第一圖形單元的位置對應設置的第二圖形單元，每組第二圖形單元包括多組第二圖形子單元，每組第二圖形子單元包括沿第一光透過區的延伸方向交替設置在與第一光透過區相對應的位置上的第三光透過區和第三光阻擋區，且每組第二圖形子單元的兩端分別延伸至與第一光透過區相鄰的第一光阻擋區上，同時第二掩膜版好包括設置在相鄰第二圖形單元之間的第四光阻擋區。

上述第一掩膜版中第二光透過區的寬度通常明顯大于第一光透過區的寬度，以在采用上述第一掩膜版和第二掩膜版形成鰭部之后，在襯底中對應于第二光透過區的位置上形成其他的結構。因此，在采用第一掩膜版進行光刻的過程中通過第二光透過區和第一光透過區的光強有所不同，從而使得在將第一掩膜版中圖形轉移到掩膜層的過程中由于光的衍射造成的圖形失真程度存在較大差異，且該圖形失真程度的差異很難進行補償校正。同時在采用上述第二掩膜版進行光刻的過程中，上述第二掩膜版中第三光透過區的密度(即第三光透過區的面積與所述第二掩膜版的面積之比)較小，使得光刻過程中曝光的光強過低，從而降低了采用第二掩膜版進行圖形轉移的準確性，并最終影響所形成SRAM的性能。針對上述問題，目前還沒有有效的解決方法。

發明內容

本申請旨在提供一種用于形成SRAM鰭部的掩膜版組件以及鰭部的制作方法，以提高掩膜版組件中圖形的均勻性。