[發明專利]用于形成SRAM鰭部的掩膜版組件以及鰭部的制作方法

有效

• 申請號: 201410443536.0
• 申請日: 2014-09-02
• 公開（公告）號: CN105448699B
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 毛剛;張弓
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308;H01L27/11;G03F1/26
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種用于形成SRAM鰭部的掩膜版組件，包括第一掩膜版和第二掩膜版，其中：

所述第一掩膜版包括至少兩組第一圖形單元，每組所述第一圖形單元包括多個平行設置的第一光阻擋區和相應地設置于相鄰所述第一光阻擋區之間的多個第一光透過區；

所述第二掩膜版包括與每組所述第一圖形單元的位置對應設置的第二圖形單元，每組所述第二圖形單元包括多組第二圖形子單元，每組所述第二圖形子單元包括沿所述第一光透過區的延伸方向交替設置在與所述第一光透過區相對應的位置上的第三光透過區和第三光阻擋區，且每組所述第二圖形子單元的兩端分別延伸至與所述第一光透過區相鄰的第一光阻擋區上，

其特征在于，

所述第一掩膜版還包括：

第二光阻擋區，與所述第一光阻擋區平行地設置于相鄰所述第一圖形單元之間；

第二光透過區，設置于相鄰所述第一圖形單元之間，且位于所述第二光阻擋區的兩側；

所述第二掩膜版還包括：

第四光透過區，與所述第二光阻擋區的位置對應設置，且所述第四光透過區的寬度大于所述第二光阻擋區的寬度；

第四光阻擋區，設置于相鄰所述第二圖形單元之間，且位于所述第四光透過區的兩側。

2.根據權利要求1所述的掩膜版組件，其特征在于，所述第一掩膜版中所述第二光阻擋區設置于相鄰所述第一圖形單元之間的正中心位置。

3.根據權利要求1或2所述的掩膜版組件，其特征在于，每組所述第一圖形單元包括三個所述第一光阻擋區和兩個所述第一光透過區。

4.根據權利要求3所述的掩膜版組件，其特征在于，相鄰所述第二圖形子單元中位于不同所述第二圖形子單元中由所述第三光透過區和第三光阻擋區組成的組沿所述第一光透過區的延伸方向交錯設置。

5.一種鰭部的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在襯底上依次形成第一掩膜層和第二掩膜層；

采用權利要求1至4中任一項所述的掩膜版組件中第一掩膜版刻蝕去除所述第二掩膜層中對應于所述第一掩膜版中第一光透過區和第二光透過區的部分；

在剩余所述第二掩膜層的兩側側壁上形成介質層；

去除所述第二掩膜層；

采用所述掩膜版組件中第二掩膜版刻蝕去除所述介質層中對應于所述第二掩膜版中第三光透過區和第四光透過區的部分；

沿剩余所述介質層中圖形刻蝕所述第一掩膜層和所述襯底，以在所述襯底中形成鰭部。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，采用所述第一掩膜版刻蝕所述第二掩膜層的步驟包括：

在所述第二掩膜層上形成第一光刻膠預備層；

采用所述第一掩膜版光刻所述第一光刻膠預備層，以形成圖形化的第一光刻膠層；

沿所述第一光刻膠層中圖形刻蝕所述第二掩膜層。

7.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，采用所述第二掩膜版刻蝕所述介質層的步驟包括：

形成覆蓋所述介質層和所述第一掩膜層的第二光刻膠預備層；

采用所述第二掩膜版光刻所述第二光刻膠預備層，以形成圖形化的第二光刻膠層；

沿所述第二光刻膠層中圖形刻蝕所述介質層。

8.根據權利要求5至7中任一項所述的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜層由遠離所述襯底的方向上依次設置的SiO₂層、SiN層和SiO₂層組成；所述第二掩膜層為無定型碳層；所述介質層為氮化硅層或二氧化硅層。

9.一種SRAM，包括設置于襯底上的鰭部，以及與所述鰭部連接設置的晶體管，其特征在于，所述鰭部由權利要求5至8中任一項所述的制作方法制作而成。

10.根據權利要求9所述的SRAM，其特征在于，所述襯底包括多個存儲單元區，所述鰭部和晶體管設置于各所述存儲單元區中，每個所述存儲單元區上設置有兩個上拉晶體管、兩個下拉晶體管和兩個存取晶體管。