[發明專利]對不合格硅片的處理方法

在審

• 申請號: 201410442477.5
• 申請日: 2014-09-02
• 公開（公告）號: CN104157739A
• 公開（公告）日: 2014-11-19
• 發明（設計）人: 許明金;符昌京;鄧清龍;陳耀軍
• 申請（專利權）人: 海南英利新能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

技術領域

本發明涉及太陽能電池片技術領域，更為具體的說，涉及一種對不合格硅片的處理方法。

背景技術

傳統的化石能源發電帶來的環境污染問題，正在威脅著人類賴以生存的環境，因此，開發一種綠色無污染的能源勢在必行。太陽能電池，也稱光伏電池，是一種將太陽的光能直接轉換為電能的半導體器件，由于其為綠色環保產品，不會引起環境的污染，因此在當今能源緊缺的情形下，太陽能電池是一種具有發展前景的新型產品。

一般的，晶體硅太陽能電池的制作工藝包括：制絨-PN結擴散-刻蝕-鍍膜-絲網印刷-燒結。其中，由于制作工藝復雜，在絲網印刷工藝前，即在制絨～鍍膜工藝中，由于設備的不穩定或人為誤操作等原因，導致在生產過程中經常出現大量的不合格硅片，這些不合格硅片直接影響產品的生產合格率。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種對不合格硅片的處理方法，以通過對不合格硅片進行處理后再次利用，節約資源，提高了產品的生產合格率。

下面為本發明提供的技術方案：

一種對不合格硅片的處理方法，用于處理在絲網印刷工藝前產生的不合格硅片，包括：

獲取不合格硅片；

采用預設濃度的氫氟酸溶液浸泡所述不合格硅片；

采用表面腐蝕液，在第一預設時間和第一預設溫度的條件下，腐蝕所述不合格硅片；

采用預設體積比例的氫氧化鉀溶液清洗所述不合格硅片；

采用預設體積比例的氯化氫和氫氟酸溶液，在第二預設時間和第二預設溫度的條件下，清洗所述不合格硅片；

對所述不合格硅片進行擴散工藝，使所述不合格硅片的方阻在預設方阻范圍內；

對所述不合格硅片進行鍍反射膜工藝，使所述不合格硅片的反射膜厚度在預設厚度范圍內。

優選的，所述氫氟酸溶液的預設濃度為49％。

優選的，采用所述表面腐蝕液對所述不合格硅片的表面腐蝕厚度范圍為2.5微米～3微米，包括端點值。

優選的，所述表面腐蝕液為氫氟酸和硝酸溶液。

優選的，所述氫氟酸和硝酸溶液的體積比為：氫氟酸：硝酸：水＝3:10:5；

所述第一預設時間為20s；

以及，所述第一預設溫度為8攝氏度。

優選的，所述氫氧化鉀與水的體積比為：氫氧化鉀：水＝1:25。

優選的，所述氯化氫和氫氟酸溶液的體積比為：氯化氫：氫氟酸：水＝1:2:15；

所述第二預設時間的范圍為30s～90s，包括端點值；

所述第二預設溫度的范圍為8攝氏度～13攝氏度，包括端點值。

優選的，所述預設方阻范圍為48～88hm/square，包括端點值。

優選的，所述鍍反射膜工藝為PECVD工藝。

優選的，所述預設厚度范圍為80～84nm，包括端點值。

相較于現有技術，本發明提供的技術方案具有以下優點：

本發明提供的一種對不合格硅片處理的方法，包括：獲取不合格硅片；采用預設濃度的氫氟酸溶液浸泡不合格硅片；采用表面腐蝕液，在第一預設時間和第一預設溫度的條件下，腐蝕不合格硅片；采用預設體積比例的氫氧化鉀溶液清洗不合格硅片；采用預設體積比例的氯化氫和氫氟酸溶液，在第二預設時間和第二預設溫度的條件下，清洗不合格硅片；對不合格硅片進行擴散工藝，使不合格硅片的方阻在預設方阻范圍內；對不合格硅片進行鍍反射膜工藝，使不合格硅片的反射膜厚度在預設厚度范圍內。

由上述內容可知，采用本發明提供的技術方案，對在絲網印刷工藝前產生的不合格硅片進行處理后，可以再次使用制作太陽能電池片，避免了資源的浪費，提高了產品的生產合格率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請實施例提供的一種對不合格硅片的處理方法的流程圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。